2.4Gb/s光通信用MOS-プリアンプIC
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概要
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現在、デバイス技術の進歩に伴い、超高速IC(>1Gb/s)へのMOSトランジスタ適用が始まっている[1]。従来はバイポーラトランジスタがこの分野のICに適用されていたが、MOSトランジスタに置き換えることにより、ディジタル回路での低消費電力化が期待される。一方、高速動作がディジタル回路より難しいアナログ回路についても、Gb/s帯への適用が可能になれば、ディジタル回路と組み合わせることにより低消費電力の超高速高集積ICの実現が可能となる。今回、MOSトランジスタを用いて、GHz帯域を持つプリアンプICの開発を行った。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-03-11
著者
-
江村 克己
Nec C&cメディア研究所
-
江村 克己
Nec光エレクトロニクス研究所
-
江村 克己
日本電気(株)第一光ネットワーク
-
洲崎 哲行
日本電気(株)C&Cメディア研究所
-
早田 征明
日本電気(株)光エレクトロニクス研究所
-
田辺 昭
日本電気(株) マイクロエレクトロニクス研究所
-
東郷 光洋
日本電気(株) マイクロエレクトロニクス研究所
-
古川 昭雄
日本電気(株) マイクロエレクトロニクス研究所
-
田辺 昭
NECシリコンシステム研究所
-
古川 昭雄
日本電気(株)システムデバイス・基礎研究本部
-
東郷 光洋
NEC ULSIデバイス開発研究所
-
江村 克己
日本電気(株)
-
洲崎 哲行
Nec C&cメディア研究所
-
洲崎 哲行
Nec C&cメディア研
-
早田 征明
日本電気(株)c&c Lsi開発本部
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