最上 徹 | NECシステムデバイス・基礎研究本部 シリコンシステム研究所
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概要
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最上 徹
NECシステムデバイス・基礎研究本部 シリコンシステム研究所
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著作論文
- 素子微細化が真性半導体ボディSOI-MOSFETのI_向上効果に与える影響
- 真性チャネルSOI-MOSFETのV_ばらつきに対する電界の二次元効果の影響
- 基板電圧印加時の信頼性を考慮した65nmCMOSFETのパワーマネージメント(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
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