最上 徹 | Nec シリコンシステム研
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概要
関連著者
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最上 徹
Nec シリコンシステム研究所
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最上 徹
Nec シリコンシステム研
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最上 徹
Necシリコンシステム研究所
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最上 徹
日本電気(株) マイクロエレクトロニクス研究所
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黄 俐昭
Necシリコンシステム研究所
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NECエレクトロニクス株式会社LSI基礎開発研究所
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Necマイクロエレクトロニクス研究所
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小倉 卓
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NEC シリコンシステム研究所
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NEC シリコンシステム研究所
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小倉 卓
NEC シリコンシステム研究所
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NEC シリコンシステム研究所
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渡辺 啓仁
NEC シリコンシステム研究所
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渡部 平司
NEC シリコンシステム研究所
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五十嵐 信行
NEC シリコンシステム研究所
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宮村 真
NEC シリコンシステム研究所
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西藤 哲史
NEC シリコンシステム研究所
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森岡 あゆ香
NEC シリコンシステム研究所
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渡部 宏治
NEC シリコンシステム研究所
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斎藤 幸重
NEC シリコンシステム研究所
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矢部 裕子
NEC シリコンシステム研究所
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五十嵐 多恵子
NEC シリコンシステム研究所
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増崎 幸治
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望月 康則
NEC シリコンシステム研究所
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武村 久
NEC システムデバイス・基礎研究本部 シリコンシステム研究所
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最上 徹
Necシステムデバイス研究所
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五十嵐 多恵子
日本電気(株)システムデバイス研究所
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森岡 あゆ香
日本電気(株)システムデバイス研究所
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五十嵐 信行
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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望月 康則
Necシステムデバイス研究所
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渡部 平司
NECシステムデバイス研究所
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渡部 宏治
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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渡辺 啓仁
日本電気株式会社
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西藤 哲史
日本電気株式会社
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増崎 幸治
日本電気株式会社
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岩本 俊幸
Nec Electronics Corporation
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辰巳 徹
日本電気株式会社
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辰巳 徹
Nec シリコンシステム研
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Terai Masayuki
Department Of Applied Physics Waseda University
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森岡 あゆ香
NECグリーンイノベーション研究所
著作論文
- Poly-Si/HfSiO/SiO_2ゲート構造を用いた低電力、高速HfSiOゲートCMOSFET(IEDM特集:先端CMOSデバイス・プロセス技術)
- 素子微細化が真性半導体ボディSOI-MOSFETのI_向上効果に与える影響
- ストライプトゲート真性半導体チャネルSOI-MOSFETのしきい値制御に関するシミュレーション
- SoC性能評価関数を用いた最適マルチ・トランジスタ・パラメータ設計の決定手法