間部 謙三 | NECシステムデバイス研究所

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概要

• 同名の論文著者
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関連著者

• 五十嵐 信行

  NEC(株)システムデバイス研究所

• 高橋 健介

  NECシステムデバイス研究所

• 高橋 健介

  日本電気株式会社

• 五十嵐 信行

  NECシステムデバイス研究所

• 間部 謙三

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• 長谷 卓

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• 辰巳 徹

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• 五十嵐 多恵子

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• 望月 康則

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• 吉原 拓也

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• 渡部 平司

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• 辰巳 徹

  日本電気株式会社

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著作論文

• 相制御Niフルシリサイド電極を用いたHfSiON高誘電率ゲート絶縁膜MOSFETの作製と電気特性の評価
• 組成制御Niフルシリサイド電極を用いた低消費電力向けHfSiONゲート絶縁膜MOSFET(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
• TEMエネルギー損失分光を用いたhigh-k絶縁膜の誘電的性質の評価(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)

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