レ-ザ-再結晶化法によるSOI
スポンサーリンク
概要
著者
-
西村 正
三菱電機 (株) Ulsi技術開発センター
-
西村 正
三菱電機株式会社ulsi技術開発センター
-
赤坂 洋一
三菱電機LSI研究所
-
井上 靖朗
(株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部
-
井上 靖朗
(株)ルネサステクノロジ
-
西村 正
三菱電機 Ulsi開セ
-
赤坂 洋一
三菱電機
関連論文
- ボディ浮遊SOI MOSトランジスタの電流駆動能力低下メカニズムとその改善構造
- パーシャルトレンチ分離構造を用いたバルクレイアウト互換0.18μm SOI CMOS技術
- フィールドシールド分離SOI MOSFETにおける放射線耐性の解析
- 256MビットDRAM以降対応のシャロートレンチ分離のストレス解析
- フィールドシールドアイソレーション技術を用いた0.35μm大規模SOIゲートアレー
- 水素化処理によるSOI寄生MOSFETの低しきい値電圧化の抑制
- 低電圧対応WポリサイドデュアルゲートCMOS
- CMOS/SIMOX技術を用いた動作電圧範囲の広いSOI-DRAM
- 酸素イオン注入 Si 層の結晶性回復と向上 - SIMOX の結晶性向上 -
- 画像信号処理の基本機能を有する三次元構造デバイス : "画像変換装置"合同研究会 : 電子装置 : 画像表示
- レ-ザ-再結晶化法によるSOI
- 3層構造三次元回路素子
- TCADを用いた実効チャネル長抽出法の有効性の検討
- マクロモデルを用いた回路シミュレーション高速化
- コンタクト特性を考慮したa-Si:H TFTの電気的特性の解析
- イオンマイクロプローブを用いたDRAMのソフトエラー感応領域および高耐性構造の評価
- マイクロプローブによるDRAMソフトエラーの評価
- スタック型キャパシタ構造の薄膜SOI-DRAMプロセス
- BSTキャパシタに対するポストアニールの影響
- 電極構造が高誘電体キャパシタの電気的特性に与える影響
- 内壁酸化およびゲート酸化にランプ酸化法を用いたシャロートレンチ分離による逆ナローチャネル効果の抑制
- 局所歪みチャネル技術による高駆動能力55nmCMOSの作製
- 65nmノード歪みpMOSFETのホール伝導における全応力の効果の検証(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 高信頼性と高性能を両立するシステムオンチップ対応CMOS
- CBCM法を用いたゲート絶縁膜の容量測定
- デュアルオフセット構造を有する135GHzf_SOI MOSFETの高周波アナログ混載技術
- ゲート電流の基板バイアス依存性を考慮したフラッシュメモリセルのコンパクトモデル(プロセス・デバイス・回路・シミュレーション及び一般)
- ゲート電流の基板バイアス依存性を考慮したフラッシュメモリセルのコンパクトモデル(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- チャネルnMOS移動度のストレスライナー膜による影響(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 電流磁場書き込みMRAM技術
- インバータ速度制御、低Vthバラツキを可能にする薄膜BOX-SOIデュアル・バックバイアス制御技術(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 三次元デバイスシミュレーションを用いたSOI MOSFETにおける寄生MOSFETの解析
- SOIデバイスの研究開発動向
- LSAとSpike-RTAの組み合わせによる極浅接合形成技術(プロセス科学と新プロセス技術)
- 65nmノード歪みpMOSFETのホール伝導における全応力の効果の検証(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- チャネルnMOS移動度のストレスライナー膜による影響(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- MOSFETフリッカ雑音のばらつきのバイアス依存性
- MOSFETフリッカ雑音のばらつきのバイアス依存性
- 光応用技術 : 光を励起源とする成膜技術 : 半導体工業における機械的基盤技術
- High-k/メタルゲートMOSFETのしきい値電圧の温度依存性(シリコン関連材料の作製と評価)
- 相変化メモリのリセット特性のモデリング(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 相変化メモリのリセット特性のモデリング(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 90nmテクノロジーノードによる銅配線形状の非破壊インバース・モデリング(プロセス・デバイス・回路・シミュレーション及び一般)
- 90nmテクノロジーノードによる銅配線形状の非破壊インバース・モデリング(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 3次元配線容量シミュレーションに基づいたサブ100mm世代eSRAMのスケーリングの検討(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 3次元配線容量シミュレーションに基づいたサブ100nm世代eSRAMのスケーリングの検討(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 方向のチャネルをもつ高性能微細MOSFET
- 4)高エネルギーイオン注入技術の半導体デバイスへの応用(情報入力研究会)
- 高エネルギーイオン注入技術の半導体デバイスへの応用 : 情報入力
- TCADを用いた実効チャネル長抽出法の有効性の検討
- TCADを用いた実効チャネル長抽出法の有効性の検討
- TCADを用いた実効チャネル長抽出法の有効性の検討
- マクロモデルを用いた回路シミュレーション高速化
- マクロモデルを用いた回路シミュレーション高速化
- マクロモデルを用いた回路シミュレーション高速化
- SiへのAsイオン注入(研究ノ-ト)
- ULSIデバイス技術
- 3次元IC開発の現状
- 薄膜SOI MOSデバイス
- 高集積,多機能デバイスとして姿が見えてきた3次元LSI
- SOI技術
- SOI技術による三次元回路素子 (エレクトロニクス技術を支える新素材) -- (応用事例)
- 2)石英基板上のポリシリコン薄膜トランジスタアレイ(画像表示研究会(第75回))
- 石英基板上のポリシリコン薄膜トランジスタアレイ
- (2-1-2 現状)(2.プロセス技術)(半導体集積技術の動向)
- 薄膜作製技術 (先端材料の新技術--開発・製造・評価) -- (材料化プロセス)
- 歪みシリコン技術とSOI MOSFET (特集 半導体製造工程を変革する新プロセス技術) -- (最新トピックス1 新プロセス/新材料の導入)
- High-k/ メタルゲートMOSFETのしきい値電圧の温度依存性