高エネルギーイオン注入技術の半導体デバイスへの応用 : 情報入力
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概要
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MeV領域の高エネルギーイオン注入技術の,シリコンデバイスヘの応用について述べる.高エネルギーイオン注入により,シリコン基板の数μmの深さに直接不純物をドーピングすることか可能になり,ソフトエラーやラッチアップなどの種々のデバイス特性の向上を意図して,基板あるいはウェルの不純物分布を最適化する"基板エンジニアリング"という手法がもたらされた.また,高エネルギーイオン注入により発生する結晶欠陥が,微小欠陥や重金属をゲッタリングすることが見いだされた.ドーパント自身によるゲッタリング(self-gettering)や,酸素,炭素などのイオン注入によるゲッタリング(proXimity gettering)を積極的に利用して,高濃度埋め込み不純物層の形成が可能になりつつある
- 社団法人映像情報メディア学会の論文
- 1991-12-20
著者
-
赤坂 洋一
三菱電機LSI研究所
-
黒井 隆
三菱電機
-
赤坂 洋一
三菱電機
-
小森 重樹
三菱電機
-
塚本 克博
三菱電機LSI研究所
-
小森 重樹
三菱電機LSI研究所
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黒井 隆
三菱電機LSI研究所
-
塚本 克博
三菱電機
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