半導体導波路型光周波数変換素子
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
将来の光周波数多重伝送・交換、さらには周波数多重光信号処理を考えるうえで、光信号を周波数軸上で操作する光周波数変換素子は必須なものである。そこで本研究では入力信号の変調速度・光調方式に無依存に効率100%で周波数変換を行える波長板回転式周波数変換方式を採用し、半導体材料を用いた導波路型の素子構造中にポッケルス効果による屈折率変化を電界誘起することで本方式の実現を目指した。本報告においては、素子を作成・動作させた場合の動作特性の数値解析結果および実際に作成した素子の基本動作動作確認の結果について述べる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-10-20
著者
-
西村 信治
RWCP光インターコネクション日立研
-
西村 信治
Rwcp光日立研究室
-
田中 滋久
(株)日立製作所中央研究所
-
田中 滋久
日立製作所中央研究所
-
井上 宏明
RWCP光インターコネクション日立研
-
井上 宏明
(株)日本オプネクスト
-
西村 信治
日立 中研
-
田中 滋久
(株)日立製作所 中央研究所
-
田中 滋久
日立製作所
-
金武 達郎
情報通信事業部中央研究所
-
金武 達郎
RWCP光日立研究室
-
金武 達郎
(株)日立製作所基礎研究所
-
西村 信治
RWCP光インタコネクション日立研究所
関連論文
- 6.高性能ルータ・スイッチの低消費電力化動向と光ネットワークデバイス技術の活用検討(グリーンICTに向けた光ネットワーク技術)
- 光インタコネクト搭載ネットワークスイッチ
- コグニティブ無線システムにおけるTCPスループットのシミュレーション評価(無線分散ネットワーク(WDN)特集セッション:上位レイヤ,無線分散ネットワーク(WDN)特集セッション及び一般講演)
- コグニティブ無線システムにおけるスループットのシミュレーション評価(一般,技術展示,チュートリアル講演,一般)
- LAN領域での高性能並列処理に適したネットワークスイッチ用ASIC(システムLSIのための先進アーキテクチャ論文)
- B-10-142 光インタコネクション搭載高速ネットワークスイッチ(RHiNET-3/SW)
- RHiNET-2/SW : 並列光インタコネクションを搭載した並列計算機システム用高速ネットワークスイッチ
- B-10-55 光インタコネクション搭載高速ネットワークスイッチ (RHiNET-3/SW)
- RHiNETスイッチ : RHiNET-2, 3/SW
- B-10-121 光インタコネクション搭載高速ネットワークスイッチとその並列計算機(RHiNET-2)への応用
- LASN用10Gbps/port 8x8ネットワークスイッチ:RHiNET-3/SW
- 表面実装対応導波路型PIN-PD加湿試験10, 000時間安定動作
- 光加入者向けInGaAlAs導波路型PDの高信頼動作
- 導波路型 InGaAlAs PIN-PDの高信頼動作
- 表面実装向けInGaAlAs導波路型PIN-PDの高信頼動作
- 表面実装向けInGaAlAs導波路型PIN-PDの高効率・高信頼化
- 表面実装向け高効率・低暗電流導波路型PINフォトダイオード
- 表面実装向け広トレランス・高量子効率導波路型PINフォトダイオード
- 広トレランス導波路型PINフォトダイオード
- 低電圧動作歪InAlAs/InGaAs超格子APD(APD : Avalanche Photodiode)
- 2.5Gbit/s光伝送用InAlAs/InGaAs超格子APD
- 導波路型超格子APD
- 超格子APD高速化の検討
- 不純物を抑制したMBE成長GaInNAs/GaAsレーザの特性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- GaInNAsレーザ : GaInNAsレーザの現状と課題(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- [招待講演]GaInNAsレーザ : GaInNAsレーザの現状と課題(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- 1.1μm帯GaInAs変調ドープMQWレーザの40Gb/s直接変調動作(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- C-3-42 PLCを用いた1.3/1.55μm WDM光モジュール
- BS-9-7 100Gbps単一波長光伝送向け物理層の研究(BS-9.テラビットLAN/MANを実現する光波長アクセス技術,シンポジウムセッション)
- B-8-30 次世代 Ethernet 向けシリアルリンク間スキュー補正回路の実装検討
- リアルワールドコンピューティングにおける光インターコネクション
- 超並列計算機RWC-1搭載光インタコネクト
- 超並列計算機RWC-1内光インタコネクトシステム
- 超並列計算機RWC-1における光インターコネクション
- 超並列計算機応用光インターコネクション技術
- CT-4-6 複数システムを統合するコグニティブ無線通信技術(CT-4. 次世代携帯端末を支える技術,チュートリアルセッション,ソサイエティ企画)
- B-17-5 コグニティブ無線通信技術の研究開発(その3) : コグニティブ基地局内システム切替の基本評価(B-17.ソフトウェア無線,一般講演)
- B-17-2 複数システムを統合するコグニティブ無線技術 : コグニティブ基地局間システム切替の基本評価(B-17.ソフトウェア無線,一般講演)
- フォトニックルーターに適用する高速CWDM方式の検討(MP(Lambda)S, フォトニックネットワーク/制御,光波長変換・スイッチング,一般)
- 43-Gbps高速EA/DFBレーザのアンクールド動作(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- 43-Gbps高速EA/DFBレーザのアンクールド動作(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- BK-3-5 知的創造社会へ向けてのuVALUE研究開発活動(BK-3.最先端ICT企業エクゼクティブによるR&Dの今後の展望と課題,ソサイエティ特別企画,ソサイエティ企画)
- 表面実装型10Gbit/s光受信モジュール(光部品の実装,信頼性)
- 表面実装型10Gbit/s光受信モジュール(光部品の実装,信頼性)
- 表面実装型10Gbit/s光受信モジュール
- C-3-20 表面実装型 10Gbit/s 光受信モジュール
- 不純物を抑制したMBE成長GaInNAs/GaAsレーザの特性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 不純物を抑制したMBE成長GaInNAs/GaAsレーザの特性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 1.1μm帯GaInAs変調ドープMQWレーザの40Gb/s直接変調動作(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- BCS-2-8 100Gbpsイーサネット用1.3μm帯25GbpsアンクールドEA/DFBレーザ(BCS-2.次世代光ファイバ通信を拓く超高速送受信デバイス技術の最新動向,シンポジウムセッション)
- BCS-2-8 100Gbpsイーサネット用1.3μm帯25GbpsアンクールドEA/DFBレーザ(BCS-2.次世代光ファイバ通信を拓く超高速送受信デバイス技術の最新動向,シンポジウムセッション)
- C-4-2 1.3μm帯アンクールドEA/DFBレーザによる43Gbps 10km伝送(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- SC-3-9 ATM-PONシステム向けポリマPLCモジュール
- MQW電界吸収型超高速光ゲート
- MQW電界吸収型超高速光ゲート
- モードフィルタによるマッハツェンダー型光変調器の安定化
- 超高速電界吸収型光ゲートスイッチ
- 40Gbit/s 用導波路集積化MQW電界吸収型光変調器
- 導波路集積化MQW-EA型超高速光変調器
- 導波路集積化MQW-EA型光変調器
- 伸張歪みInGaAs/InAlAs MQW電界吸収型光変調器 : 伸張歪み導入によるMQW電界吸収型光変調器の動作電圧低減
- 1.3μm帯直接変調レーザの広範囲25Gbps無温調動作の実証
- パターン基板上に自己形成した三次元閉じ込めGaAs構造に関するフォトルミネッセンス
- C-4-16 100GHz-8ch波長可変EA/DFBレーザによる10Gbit/s-80km伝送(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-6-14 高周波 10 Gbit/s 信号対応プリント配線板
- システム負荷を考慮したコグニティブ無線システムの評価(オーガナイズド一般セッション,移動通信ワークショップ)
- コグニティブ無線のための省電力方式の提案 : ページング情報伝送方式(無線,オーバーレイネットワーク,VPN,DDoS,ネットワークセキュリティ,P2P通信,ネットワークソフトウェア,一般)
- B-17-4 コグニティブ無線通信技術の研究開発(その2) : 端末位置による通信手段選択方式の提案(B-17.ソフトウェア無線,一般講演)
- B-17-1 複数システムを統合するコグニティブ無線技術 : コグニティブ端末における省電力方式の検討(B-17.ソフトウェア無線,一般講演)
- 1.3μm帯直接変調レーザの広範囲25Gbps無温調動作の実証(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- 1.3μm帯直接変調レーザの広範囲25Gbps無温調動作の実証(フォトニック NW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- 1.3μm帯直接変調レーザの広範囲25Gbps無温調動作の実証(フォトニック NW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- レンズ集積技術を用いた1.3μm帯面型レーザおよびフォトダイオードの高効率ファイバ結合(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- BP-4-4 ルータの省電力化技術と今後の動向(BP-4.フォトニック技術によるグリーンIT実現に向けて,パネルセッション,ソサイエティ企画)
- 光インタコネクション応用に向けたAPD低電圧動作化の検討
- CS-5-7 低コスト光モジュール用高速アンクールドEA/DFBレーザ(CS-5.新たな転機を迎えた通信用送受信デバイスの動向,シンポジウムセッション)
- リッジ導波路型半導体光増幅器
- 半導体導波路型光周波数変換素子
- InGaAs/InAlAs MQW非線形導波路を用いた全光学的光スイッチング実験
- 1.5μm用InGaAs/InAlAs多重量子井戸導波路での光誘起屈折率変化
- 表面実装対応導波路型PIN-PD加湿試験20, 000時間安定動作
- C-3-47 10Gb/s光受信器用表面実装対応導波路型PIN-PD
- C-3-29 光アクセス用導波路型フォトダイオード及びPIN-AMPモジュール
- 並列計算機(RHiNET-2)用光インタコネクション搭載スイッチシステム
- 光インターコネクト搭載64Gbpsネットワークスイッチ(RHiNET-2/SW)の実装設計
- B-10-132 光インタコネクション搭載並列計算機システム向け光スイッチシステム(RHiNET-2/SW)
- B-10-157 並列分散計算機システム向け大容量光インタコネクション
- フォトニックルーターに適用する高速CWDM方式の検討(MP(Lambda)S, フォトニックネットワーク/制御,光波長変換・スイッチング,一般)
- C-4-20 横結合型方向性結合器を用いた波長可変フィルタ集積レーザ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 1.3μm帯直接変調レーザの広範囲25Gbps無温調動作の実証
- BeZnCdSeを用いた緑色レーザの室温連続発振(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- 超並列計算機 RWC-1 における光実装技術(光インタコネクション)
- C-4-30 Be系II-VI材料を用いた緑色レーザ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-10 スポットサイズ変換器集積LGLC型波長可変レーザ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 横結合型方向性結合器を用いた波長可変フィルタ集積レーザの検討(アクティブデバイスと集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)
- 横結合型方向性結合器を用いた波長可変フィルタ集積レーザの検討(アクティブデバイスと集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)
- C-4-9 横結合型方向性結合器を用いた小型低消費電力波長可変レーザ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-6 光インタコネクト用1.3μm帯レンズ集積EA-DFBレーザによる40-Gbit/s/ch 50mマルチモードファイバ伝送(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-3-31 光インタコネクト用EA-DFBレーザの40Gbps/ch低電圧動作(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- BeZnCdSe量子井戸を用いた緑色半導体レーザの高出力発振(アクティブデバイスと集積化技術,一般「材料デバイスサマーミーティング」)