光インタコネクション応用に向けたAPD低電圧動作化の検討
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概要
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光インタコネクトモジュールの高集積化・低消費電力化のためにAPDの適用を検討した。最大の課題となるAPDの低電圧動作化を可能にする素子構造を示すと共にアバランシェ増倍の現象論により、目標増倍率とイオン化率の電界依存性から動作電圧の増倍層厚依存性と最小値を求める手法を示した。低電圧動作化に向けて導波路型InAlAs/InGaAs超格子APDを提案し試作した結果、本手法の有効性と動作電圧8.5Vで増倍率7以上のアバランシェ増倍を確認した。本手法を用いたイオン化率の制御により、増倍率10以上のAPDを動作電圧5V以下で動作できる可能性を示した。
- 1996-05-16
著者
-
北野 晴久
日立製作所 情報通信事業部 開発センタ
-
田中 滋久
(株)日立製作所中央研究所
-
田中 滋久
日立製作所中央研究所
-
花谷 昌一
日立製作所中央研究所
-
田中 滋久
(株)日立製作所 中央研究所
-
田中 滋久
日立製作所
-
花谷 昌一
日立テレコム(USA)
-
花谷 昌一
日立製作所 情報通信事業部 開発センタ
-
花谷 昌一
日立製作所 情報通信事業部
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