GaNAsのSi上半導体レーザへの適応に関する検討
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概要
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Si電子素子とIII-V族化合物半導体光素子のモノリシック集積化に向けて、Siウエハ上に化合物半導体を一体形成する全く新しい手法を提案する。それは、新材料の窒素系混晶半導体GaNxAS1-xの適用である。この窒素系混晶半導体はSiと格子整合が可能であり、従来手法に比べて結晶欠陥を激減できると期待できる。本報告では、Siウエハ上化合物半導体一体形成技術における最も困難な技術課題、即ち格子不整合と熱歪の問題に対して、窒素系混晶半導体GaNxAs1-x及びGaNxP1-xを用いた対策を示し、Si上半導体レーザへの適応の可能性について具体的に検討する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-12-15
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