白井 正敬 | 日立製作所中央研究所
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概要
関連著者
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白井 正敬
日立製作所中央研究所
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有本 英生
(株)日立製作所中央研究所
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白井 正敬
(株)日立製作所 中央研究所
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辻 伸二
(株)日立製作所中央研究所
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辻 伸二
(株)日立製作所 中央研究所
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清水 淳一郎
株式会社日立製作所中央研究所
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勝山 俊夫
(株)日立製作所・中央研究所
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勝山 俊夫
日立 中研
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細見 和彦
東京大学生産技術研究所ncrc:(株)日立製作所中央研究所:(財)光産業技術振興協会
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青木 雅博
(株)日立製作所中央研究所
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青木 雅博
(株)日立製作所 中央研究所
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渡辺 康一
日立製作所 中央研究所
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渡辺 康一
日立製作所研究開発本部
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清水 淳一郎
(株)日立製作所, 中央研究所
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武鎗 良治
(株)日立製作所 中央研究所
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武鎗 良治
日立製作所中央研究所
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菊池 信彦
(株)日立製作所 中央研究所
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有本 英生
日立製作所株式会社
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細見 和彦
日立製作所基礎研究所
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勝山 俊夫
日立製作所基礎研究所
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鷹野 秀明
日立製作所新事業開発本部
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辻 伸二
技術研究組合光電子融合基盤技術研
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有本 英生
日立製作所中央研究所
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辻 伸二
日立製作所株式会社
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比留間 健之
(株)日立製作所・中央研究所
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重田 淳二
日立製作所 中央研究所
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大家 彰
日立製作所中央研究所
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青木 雅博
日立製作所
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菊池 信彦
日立製作所中央研究所
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辻 伸二
日立製作所中央研究所
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鈴木 秀幸
(株)日立製作所中央研究所
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比留間 健之
日立製作所 中央研究所
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小川 憲介
(株)日立製作所 中央研究所
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小川 憲介
日立 中研
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太田 博
(株)日立超LSIシステムズ
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大家 彰
(株)日立製作所中央研究所
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土屋 朋信
(株)日立製作所中央研究所
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太田 博
日立超lsiシステムズ
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渡辺 康一
(株)日立製作所中央研究所
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石川 恭輔
(株)日立製作所中央研究所
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大歳 創
日立中研
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大歳 創
(株)日立製作所中央研究所
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清水 淳一郎
日立製作所 中央研究所
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橋本 雅
日立超LSIシステムズ
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工藤 裕美
日立製作所研究開発本部
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金子 隆一
日立製作所通信システム事業本部
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三田 玲英子
(株)日立製作所 中央研究所
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土屋 朋信
日立 中研
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渡辺 康一
(株)日立製作所
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矢沢 正光
(株)日立製作所・中央研究所
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細見 和彦
(株)日立製作所基礎研究所
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波多野 睦子
日立製作所 中央研究所
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小川 健介
日立製作所 中央研究所
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三島 友義
日立製作所 中央研究所
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重田 淳二
(株)日立製作所 中央研究所
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井戸 立身
(株)日立製作所中央研究所
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波多野 睦子
日立製作所
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田上 知紀
(株)日立製作所中央研究所
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鷹野 秀明
(株)日立製作所 中央研究所
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篠田 和典
日立製作所中央研究所
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大石 昭夫
日立製作所光技術開発推進本部
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北谷 健
日立製作所中央研究所
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青木 雅博
日立製作所中央研究所
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篠田 和典
(株)日立製作所 中央研究所
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千葉 博之
(株)日立超LSIシステムズ
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平田 宏治
(株)日立超LSIシステムズ
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大内 潔
(株)日立製作所中央研究所
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井戸 立身
日立製作所 中央研究所
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石川 恭輔
日立製作所中央研究所
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鈴木 秀幸
日立製作所中央研究所
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大石 昭夫
(株)日立製作所情報通信事業部
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岡安 雅信
日本オプネクスト(株)
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大石 昭夫
日立製作所通信システム事業本部
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橋本 雅
(株)日立超LSIシステムズ
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多田 哲
日本オプネクスト
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河合 紀子
日本オプネクスト
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三田 玲子
(株)日立製作所中央研究所
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工藤 裕美
(株)日立製作所研究開発本部
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三田 玲英子
日立製作所中央研究所
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竹槍 良治
日立製作所中央研究所
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細見 和彦
(株)日立製作所中央研究所
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有本 英生
(株) 日立製作所 中央研究所
-
白井 正敬
(株) 日立製作所 中央研究所
-
辻 伸二
(株) 日立製作所 中央研究所
-
金子 隆一
通信システム事業本部
-
三島 友義
日立中央研究所
-
波多野 睦子
(株)日立製作所 中央研究所
-
大家 彰
日立製作所 中央研究所
-
大石 昭夫
(株)日立製作所光事業推進本部
-
工藤 裕美
(株)日立製作所中央研究所
著作論文
- 量子波スイッチング機能素子の研究開発--10年間の成果と今後の展望 (特集 量子化機能素子プロジェクト)
- ポラリトン光変調器の動作特性
- 量子井戸導波路における励起子ポラリトン
- グレーティング付き光導波路中の励起子ポラリトン
- 励起子ポラリトンの素子応用の可能性
- InP/InGaAs HBTによる全IC化40Gbit/s光送信器
- 40Gbit/s伝送用光変調器モジュールのIC駆動
- InGaAlAs-MQWを用いた光変調器集積レーザ
- InGaAlAs-MQWを用いた光変調器集積レーザ
- SC-2-3 1.3μm 帯 40Gbit/s 伝送用インピーダンス整合型半導体光変調器
- 40Gbit/s光変調器におけるキャリア排出時間の測定
- CS-3-2 エミッタホロワ駆動回路と電界吸収型変調器のフリップチップ実装による超小型・低消費電力40Gbit/s光送信器(CS-3. 超高速・高周波デバイス・回路・モジュールのための高密度Jisso技術, エレクトロニクス1)
- B-10-44 40Gbit/s EA 光変調器の新規低電圧・低消費電力駆動方式の提案
- C-4-44 新規駆動方式による高変調効率 (50GHz/V) 動作 40Gbit/s-EA 変調器の設計
- 光変調器集積型波長可変DFBレーザ
- 5-1 エミッタホロワ駆動ICとEA光変調器のハイブリッド実装による超小型40Gbit/s光送信器(5. 光デバイス)(日本のモノづくりを支えるJisso技術)
- ポラリトン光変調器の動作特性
- 1.55μm帯40Gbit/s-InGaAlAs EA変調器の無温調動作の検討(超高速・大容量光伝送処理,デバイス技術,及び一般)
- 1.55μm帯40Gbit/s-InGaAlAs EA変調器の無温調動作の検討(超高速・大容量光伝送処理,デバイス技術,及び一般)
- 1.55μm帯40Gbit/s-InGaAlAs EA変調器の無温調動作の検討(超高速・大容量光伝送処理,デバイス技術,及び一般)
- 40Gbit/s光変調器におけるキャリア排出時間の測定
- C-4-6 半導体変調器中キャリア排出時間のバリア層バンドギャップ波長依存性
- C-4-25 光変調器集積型波長可変レーザの伝送特性
- C-3-122 40Gbit/s伝送用半導体光変調器モジュール