大家 彰 | 日立製作所中央研究所

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概要

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• 大家 彰

  日立製作所中央研究所

• 大家 彰

  日立製作所 中央研究所

• 土屋 朋信

  (株)日立製作所中央研究所

• 青木 雅博

  (株)日立製作所 中央研究所

• 土屋 朋信

  日立 中研

• 佐藤 宏

  日立中研

• 青木 雅博

  日立製作所中央研究所

• 青木 雅博

  日立製作所

• 土屋 朋信

  日立製作所中央研究所

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  日本オプネクスト株式会社

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  日立製作所中央研究所

• 古森 正明

  (株)日立製作所 中央研究所

• 魚見 和久

  (株)日立製作所 中央研究所

• 佐藤 宏

  日立製作所 日立研究所

• 古森 正明

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• 土屋 朋信

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• 青木 雅博

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• 古森 正明

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  (株)日立製作所中央研究所

• 大家 彰

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• 辻 伸二

  (株)日立製作所 中央研究所

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• 篠田 和典

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• 清水 淳一郎

  (株)日立製作所, 中央研究所

• 中原 宏治

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• 中塚 慎一

  日立中研

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  日本オプネクスト株式会社

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  (株)日立製作所 中央研究所

• 野本 悦子

  日立中研

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• 大歳 創

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  日立製作所 中央研究所

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  (株)日立製作所中央研究所

• 宍倉 正人

  日本オプネクスト(株)

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• 大家 彰

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• 長妻 一之

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  日立

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• 河合 紀子

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  技術研究組合光電子融合基盤技術研

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著作論文

• 超格子光ガイド層を用いたZnMgSSe系レーザの室温発振
• 1.3μm帯InGaAlAs-MQW-FPレーザの10Gb/s直接変調動作
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• InGaAlAs-MQWを用いた光変調器集積レーザ
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• C-4-7 1.3μm帯ビームスポット拡大器集積利得結合分布帰還型半導体レーザの広温度範囲動作
• SiシャドウマスクMOCVD法によるビーム拡大器集積半導体レーザの作製技術
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• n型変調ドープMQW活性層による1.3μm帯ビームスポット拡大レーザの動作電流低減
• 1.3μm膜厚テーパリッジ導波路型ビーム拡大器集積レーザの高温特性
• SC-2-3 1.3μm 帯 40Gbit/s 伝送用インピーダンス整合型半導体光変調器

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