篠田 和典 | 日立製作所中央研究所
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概要
関連著者
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篠田 和典
日立製作所中央研究所
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平本 清久
日立製作所中央研究所
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魚見 和久
日立製作所中央研究所
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平本 清久
日本オプネクスト(株)
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篠田 和典
(株)日立製作所 中央研究所
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魚見 和久
日本オプネクスト株式会社
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魚見 和久
(株)日立製作所 中央研究所
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佐川 みすず
(株)日立製作所中央研究所
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大家 彰
日立製作所中央研究所
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佐川 みすず
日立製作所中央研究所
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豊中 隆司
日立製作所情報通信事業部
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豊中 隆司
(株)日立製作所情報通信事業部
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北谷 健
日立製作所中央研究所
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土屋 朋信
日立製作所中央研究所
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青木 雅博
日立製作所中央研究所
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土屋 朋信
(株)日立製作所中央研究所
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青木 雅博
(株)日立製作所中央研究所
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青木 雅博
(株)日立製作所 中央研究所
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青木 雅博
日立製作所
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佐川 みすず
日立 中研
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大家 彰
日立製作所 中央研究所
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豊中 隆司
日立
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土屋 朋信
日立製作所
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有本 英生
日立製作所株式会社
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辻 伸二
日立製作所株式会社
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白井 正敬
日立製作所中央研究所
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比留間 健之
日立製作所 中央研究所
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辻 伸二
(株)日立製作所中央研究所
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佐藤 宏
日立中研
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内山 博幸
(株)日立製作所 中央研究所
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谷口 隆文
(株)日立製作所中央研究所
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紀川 健
日立製作所中央研究所
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大石 昭夫
日立製作所光技術開発推進本部
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谷口 隆文
日立製作所中央研究所
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中原 宏治
株式会社日立製作所中央研究所
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中原 宏治
日立製作所 中央研究所
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有本 英生
(株)日立製作所中央研究所
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北谷 健
(株)日立製作所 中央研究所
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高橋 範次
日立中研
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大内 潔
日立中研
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辻 伸二
(株)日立製作所 中央研究所
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大石 昭夫
(株)日立製作所情報通信事業部
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清水 淳一郎
株式会社日立製作所中央研究所
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深町 俊彦
(株)日立製作所 中央研究所
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田中 滋
日立製作所
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田中 滋久
日立中研
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岡安 雅信
日本オプネクスト(株)
-
高橋 範次
日立製作所中央研究所
-
佐藤 宏
日立製作所中央研究所
-
大内 潔
日立製作所中央研究所
-
内山 博幸
日立製作所中央研究所
-
佐久間 康
日本オプネクスト株式会社
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大石 昭夫
日立製作所通信システム事業本部
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清水 淳一郎
日立製作所 中央研究所
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多田 哲
日本オプネクスト
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河合 紀子
日本オプネクスト
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紀川 健
日立製作所 中央研究所
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辻 伸二
技術研究組合光電子融合基盤技術研
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田中 慈久
日立製作所中央研究所
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谷口 隆文
日立製作所 中央研究所
-
谷口 隆文
日立製作所
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佐藤 宏
日立製作所 日立研究所
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深町 俊彦
東京大学生産技術研究所ナノエレクトロニクス連携研究センター:財団法人光産業技術振興協会:日立製作所中央研究所
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大石 昭夫
(株)日立製作所光事業推進本部
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土屋 朋信
日立 中研
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辻 伸二
日立製作所中央研究所
-
有本 英生
日立製作所中央研究所
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佐久間 康
日本オクラロ株式会社
-
深町 俊彦
日本オクラロ
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若山 雄貴
日立製作所中央研究所
-
佐久間 康
日本オクラロ
著作論文
- InGaAsP障壁層を有する0.98μm帯InGaAs/InGaP/GaASレーザの高温高出力特性
- InGaAsP障壁層の導入による帯InGaAs/InGaP/GaAs歪量子井戸レーザの高信頼性動作
- C-4-28 1.3μm 帯 InGaAlAs BH レーザの高信頼動作
- SC-2-3 1.3μm 帯 40Gbit/s 伝送用インピーダンス整合型半導体光変調器
- Cl_2系ICPドライエッチングを施したAlGaInP層の表面状態分析(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
- 0.98μm帯面発光レーザ用InGaP/GaAs多層膜反射鏡の高反射率特性
- C-4-1 28Gbls直接変調InGaAIAs ACPM DFBレーザ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)