フッ素系プラズマによる損傷とその回復に関する検討(電子デバイスの信頼性と半導体表面・界面制御・評価)
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概要
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我々はこれまで,絶縁膜ドライエッチ加工時のプラズマ損傷機構の解析を行ってきた.今目,高精度のウェットエッチング技術と光電子分光分析技術を用いてフッ素のHEMT結晶中での化学的結合状態の分析を試みた結果,フッ素は表面近傍ではIII族元素と結合し,結晶内部ではキャリア供給層近傍に局在し,ドーパントであるSiと結合している可能性が高いことを見出した.同時に,キャリア供給層及びチャネル層近傍に侵入したフッ素はX線照射により除去可能であり,これにより電気的特性を回復できる可能性がある事を見出した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-11-05
著者
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内山 博幸
(株)日立製作所 中央研究所
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谷口 隆文
(株)日立製作所中央研究所
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内山 博幸
株式会社日立製作所中央研究所
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谷口 隆文
株式会社日立製作所中央研究所
-
紀川 健
日立製作所 中央研究所
-
紀川 健
株式会社日立製作所中央研究所
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