NTCサーミスタによるW-CDMA用PAモジュールの利得の温度特性改善(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
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概要
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W-CDMA携帯電話端末用PAモジュールにおける利得の温度特性改善の検討結果を報告する。利得制御バイアス回路を用いてトランジスタのバイアス点を温度に対して制御する手法およびNTCサーミスタを用いる手法を比較検討した結果,NTCサーミスタを用いる手法はバイアスを制御する手法に比べて,電力増幅器の線形性に及ぼす影響が小さく,温度による利得変動の低減に対してより効果的であるとの結論を得た。更に,上記NTCサーミスタをW-CDMA用HBT二段PAモジュールに適用した結果,温度範囲-10〜85℃において,利得の温度偏差が±1dB以内に抑えられ,負荷変動時(VSWR=1.4:1)ACLR -36dBc以下の特性を得た。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2007-01-10
著者
-
松本 秀俊
(株)日立製作所 中央研究所
-
栗山 哲
(株)日立製作所 中央研究所
-
大部 功
(株)ルネサステクノロジ
-
田上 知紀
(株)ルネサステクノロジ
-
湯山 茂浩
(株)ルネサステクノロジ
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大西 正己
(株)日立製作所中央研究所
-
大西 正己
株式会社日立製作所中央研究所
-
大西 正己
日立製作所中央研究所
-
大西 正己
日立 中研
-
大西 正己
(株)日立製作所 中央研究所
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