金田 直樹 | 日立電線
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概要
関連著者
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三島 友義
日立電線株式会社
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金田 直樹
日立電線
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野本 一貴
法政大学
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野本 一貴
法政大学マイクロナノテクノロジー研究センター
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土屋 忠厳
日立電線
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中村 徹
法政大学
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三島 友義
日立電線
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畠山 義智
法政大学
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金田 直樹
日立電線(株)技術研究所先端電子材料研究部
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土屋 龍太
日立製作所
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片寄 秀雄
法政大学
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寺野 昭久
日立製作所
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石垣 隆士
日立製作所
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土屋 朋信
日立製作所
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望月 和浩
日立製作所
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中村 徹
法政大学工学部電気電子工学科
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望月 和浩
日立製作所中央研究所
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中村 徹
法政大学 マイクロ・ナノテクノロジー研究センター
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中村 徹
法政大学工学部
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望月 和浩
(株)日立製作所 中央研究所
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土屋 朋信
日立製作所中央研究所
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石垣 隆士
日立製作所中央研究所
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塩島 謙次
福井大学大学院工学研究科
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石垣 隆士
(株)日立製作所中央研究所
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塩島 謙次
NTTフォトニクス研究所
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寺野 昭久
株式会社 日立製作所
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三島 友義
日立電線(株)
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高橋 利文
福井大学大学院工学研究科電気電子工学専攻
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梶原 隆司
九州大学大学院工学研究院航空宇宙工学部門
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田中 悟
九州大学大学院工学研究院
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河野 敏弘
日立電線
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三島 友義
日立電線(株)技術研究所先端電子材料研究部
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野本 一貴
ノートルダム大学
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梶原 隆司
九州大学大学院工学研究院エネルギー量子工学部門
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塩島 謙次
福井大学大学院工学研究科電気電子工学専攻
著作論文
- Electrical Characteristics of Surface Stoichiometry Controlled p-GaN Schottky Contacts (電子デバイス)
- Effect of ICP Etching on p-type GaN Schottky Contacts (電子デバイス)
- GaN基板上高耐圧GaN pn接合ダイオード
- フォトン・リサイクリングGaN p^+nダイオード(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- フォトン・リサイクリングGaN p^+nダイオード(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- フォトン・リサイクリングGaN p^+nダイオード
- フォトン・リサイクリングGaN p^+nダイオード
- p形GaNショットキー接触におけるICPエッチングの影響(半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- 表面ストイキオメトリを制御したp-GaNショットキー接触の電気的特性(半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)