三島 友義 | 日立電線(株)
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概要
関連著者
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三島 友義
日立電線(株)
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塩島 謙次
福井大学大学院工学研究科
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塩島 謙次
NTTフォトニクス研究所
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三島 友義
日立電線株式会社
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金田 直樹
日立電線
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柴田 憲治
日立電線(株)
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金田 直樹
日立電線(株)技術研究所先端電子材料研究部
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高橋 利文
福井大学大学院工学研究科電気電子工学専攻
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梶原 隆司
九州大学大学院工学研究院航空宇宙工学部門
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野本 明
日立電線(株)アドバンスリサーチセンタ
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野本 一貴
法政大学
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野本 一貴
法政大学マイクロナノテクノロジー研究センター
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田中 悟
九州大学大学院工学研究院
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三島 友義
日立電線(株)技術研究所先端電子材料研究部
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野本 一貴
ノートルダム大学
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梶原 隆司
九州大学大学院工学研究院エネルギー量子工学部門
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塩島 謙次
福井大学大学院工学研究科電気電子工学専攻
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黒川 文弥
京都大学大学院
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三島 友義
日立電線(株)技術開発本部 技術研究所先端電子材料研究部
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堀切 文正
日立電線(株)技術開発本部 技術研究所先端電子材料研究部
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神野 伊策
神戸大学大学院工学研究科
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渡辺 和俊
日立電線(株)技術開発本部 技術研究所先端電子材料研究部
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末永 和史
日立電線(株)技術開発本部 技術研究所先端電子材料研究部
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野口 将希
日立電線(株)技術開発本部 技術研究所先端電子材料研究部
著作論文
- スパッタ法による(K,Na)NbO_3鉛フリー圧電薄膜の作製
- p形GaNショットキー接触におけるICPエッチングの影響(半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- 表面ストイキオメトリを制御したp-GaNショットキー接触の電気的特性(半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- スパッタリング法によるKNN系非鉛強誘電体薄膜の作製とその加工技術