河合 秋江 | (株)日立製作所中央研究所

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概要

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関連著者

• 河合 秋江

  (株)日立製作所中央研究所

• 河合 秋絵

  ?日立製作所中央研究所

• 田上 知紀

  (株)日立製作所中央研究所

• 田中 聡

  (株)日立製作所中央研究所

• 中村 徹

  (株)日立製作所中央研究所

• 河合 秋絵

  (株)日立製作所中央研究所

• 松本 秀俊

  (株)日立製作所 中央研究所

• 中村 徹

  法政大学工学部電気電子工学科

• 大部 功

  (株)ルネサステクノロジ

• 田上 知紀

  (株)ルネサステクノロジ

• 中村 徹

  法政大学 マイクロ・ナノテクノロジー研究センター

• 谷本 琢磨

  日立製作所中央研究所

• 本城 和彦

  電気通信大学

• 谷本 琢磨

  日立製作所 中央研究所

• 中村 徹

  日立製作所 中央研究所

• 大部 功

  日立製作所中央研究所

• 河合 秋絵

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• 田中 聡

  日立製作所中央研究所

• 工藤 真

  日立製作所中央研究所

• 関 正人

  電気通信大学

• 加賀谷 修

  (株)日立製作所中央研究所

• 谷本 琢磨

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• 大部 功

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• 加賀 谷修

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• 山口 正憲

  日立化成工業(株)総合研究所

• 山口 正憲

  日立化成工業(株)筑波開発研究所

• 山口 正憲

  日立化成工業(株) 研究開発本部 実装センタ

• 中村 徹

  (株)日立製作所

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著作論文

• F級増幅回路の3次相互変調ひずみの解析(マイクロ波シミュレータ/一般/学生会)
• 単一電源動作高出力GaAs E/DデュアルゲートHEMT
• 高出力HEMTのゲインマップによる線形性解析
• C-6-6 高周波用途回路基板におけるビアの回路モデル化
• C-10-13 InGap/GaAs HBTの振幅歪及び位相歪のシミュレーションによる解析
• 大信号負荷変動動作時のHBT増幅器の不安定性解析
• 大信号負荷変動動作時のHBT増幅器の不安定性解析
• 単一電源動作高出力GaAs E/DデュアルゲートHEMT
• SC-2-3 マイクロ波 F 級増幅器の 3 次相互変調歪み発生メカニズムの検討

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