低ゲートリーク電流Siイオン注入GaN/AlGaN/GaN HEMTの研究
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概要
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- 2007-03-01
著者
-
中村 徹
法政大学工学部電気電子工学科
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中村 徹
法政大学
-
野本 一貴
法政大学
-
佐藤 政孝
法政大学
-
田島 卓
法政大学
-
三島 友義
日立電線株式会社
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三島 友義
日立電線
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中村 徹
法政大学 マイクロ・ナノテクノロジー研究センター
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佐藤 政孝
法政大学 マイクロ・ナノテクノロジー研究センター
-
田島 卓
法政大学 マイクロ・ナノテクノロジー研究センター
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野本 一貴
法政大学マイクロナノテクノロジー研究センター
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中村 徹
法政大学工学部
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