AlGaN/GaN HEMTにおける1/f雑音特性の表面保護膜依存性(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)

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概要

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AlGaN/GaN HEMTの電気特性は表面保護膜の種類や膜厚によって大きく影響を受けることが知られている。本研究では、AlGaN/GaN HEMTにおける表面保護膜が1/f雑音に与える影響を調べた。表面保護膜SiN膜の成長条件が1/f雑音特性におよぼす影響を評価・検討した。スパッタ法で形成した表面保護膜が堆積されたデバイスに比べ、PECVD法で形成した表面保護膜が堆積されたデバイスの方が入力換算ドレイン電流ノイズスペクトル密度Svgが約半分に低減できた。
社団法人電子情報通信学会の論文
2006-11-17

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