佐藤 政孝 | 法政大学工学部, 法政大学イオンビーム工学研究所
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概要
関連著者
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中村 徹
法政大学工学部電気電子工学科
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中村 徹
法政大学
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佐藤 政孝
法政大学工学部, 法政大学イオンビーム工学研究所
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中村 徹
法政大学 マイクロ・ナノテクノロジー研究センター
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佐藤 政孝
法政大学 マイクロ・ナノテクノロジー研究センター
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中村 徹
法政大学工学部
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野本 一貴
法政大学
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野本 一貴
法政大学工学部, 法政大学イオンビーム工学研究所
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野本 一貴
法政大学マイクロナノテクノロジー研究センター
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松島 孝典
法政大学工学部
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中嶋 正裕
法政大学工学部
著作論文
- 低ゲートリーク電流Siイオン注入GaN/AlGaN/GaN HEMTのオン抵抗低減化
- 半導体製造装置の省エネルギー対策に関する実験研究
- AlGaN/GaN HEMTにおける1/f雑音特性の表面保護膜依存性(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- AlGaN/GaN HEMTにおける1/f雑音特性の表面保護膜依存性(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- AlGaN/GaN HEMTにおける1/f雑音特性の表面保護膜依存性(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- AlGaN/GaN HEMTにおける1/f雑音特性の表面保護膜依存性