低ゲートリーク電流Siイオン注入GaN/AlGaN/GaN HEMTのオン抵抗低減化

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概要

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• Si ion-implanted GaN/AlGaN/GaN HEMTs with extremely low gate leakage current and low source resistance without any recess etching process are demonstrated. The source/drain regions were formed using Si ion implantation into undoped GaN/AlGaN/GaN on sapphire substrate. Using ion implantation into source/drain regions with energy of 80 keV, the performances were significantly improved. On-resistance reduced from 26.2 to 4.3 Ω·mm. Saturation drain current and maximum transconductance increased from 284 to 723 mA/mm and from 48 to 147 mS/mm.

• 社団法人 電気学会の論文
• 2008-06-01

著者

• 中村 徹

  法政大学工学部電気電子工学科

• 中村 徹

  法政大学

• 野本 一貴

  法政大学

• 野本 一貴

  法政大学工学部, 法政大学イオンビーム工学研究所

• 佐藤 政孝

  法政大学工学部, 法政大学イオンビーム工学研究所

• 中村 徹

  法政大学 マイクロ・ナノテクノロジー研究センター

• 佐藤 政孝

  法政大学 マイクロ・ナノテクノロジー研究センター

• 野本 一貴

  法政大学マイクロナノテクノロジー研究センター

• 中村 徹

  法政大学工学部

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