田島 卓 | 法政大学 マイクロ・ナノテクノロジー研究センター

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概要

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関連著者

• 中村 徹

  法政大学工学部電気電子工学科

• 中村 徹

  法政大学 マイクロ・ナノテクノロジー研究センター

• 田島 卓

  法政大学 マイクロ・ナノテクノロジー研究センター

• 中村 徹

  法政大学工学部

• 中村 徹

  法政大学

• 佐藤 政孝

  法政大学 マイクロ・ナノテクノロジー研究センター

• 野本 一貴

  法政大学

• 佐藤 政孝

  法政大学

• 田島 卓

  法政大学

• 三島 友義

  日立電線株式会社

• 三島 友義

  日立電線

• 野本 一貴

  法政大学マイクロナノテクノロジー研究センター

• 葛西 武

  ケミトロニクス

• 宮川 晋悟

  法政大学

• 工藤 尚宏

  法政大学

• 永田 翔平

  法政大学

• 野本 一貴

  法政大学マイクロ・ナノテクノロジー研究センター

• 田島 卓

  法政大学マイクロ・ナノテクノロジー研究センター

• 佐藤 政孝

  法政大学マイクロ・ナノテクノロジー研究センター

• 中村 徹

  法政大学マイクロ・ナノテクノロジー研究センター

• 河村 光則

  法政大学

• 伊藤 伸之

  法政大学

• 中村 善

  法政大学 マイクロ・ナノテクノロジー研究センター

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著作論文

• Alイオン注入4H-SiCの電気特性とダイオード特性(化合物半導体プロセス・デバイス・一般)
• 低ゲートリーク電流Siイオン注入GaN/AlGaN/GaN HEMTの研究(化合物半導体プロセス・デバイス・一般)
• 低ゲートリーク電流Siイオン注入GaN/AlGaN/GaN HEMTの研究
• イオン注入法によるGaN FETの特性改善効果
• イオン注入4H-SiCバイポーラトランジスタの高電流利得化
• イオン注入4H-SiCバイポーラトランジスタの高性能化に関する研究

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