高耐熱ベース電極を用いたT形エミッタ電極自己整合 InP/InGaAs HBT
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概要
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InPをエミッタに用いた高性能なヘテロ接合バイポーラトランジスタ(HBT)を作製するため、T形エミッタ電極を用いた自己整合プロセスを提案し、InP/InGaAs HBTの試作を行った。エミッタ電極をT字形に加工し、エミッタ領域とベース電極の距離を電極をアンダーカットの量で制御した。この場合、エミッタ層の厚さを自由に設計でき、厚さを薄くした場合、エミッタ方向の違いによる断面形状の違いを最小限に抑えられ、電気特性のばらつきも抑えることができる。今回、T形エミッタ電極に加えてMoを挿入した高耐熱ベース電極及びCドープベースを用いてHBTの試作を行ない、HBT動作を確認し遮断周波数175GHzが得られた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-10-20
著者
-
増田 宏
(株) 日立製作所中央研究所
-
田上 知紀
(株)日立製作所中央研究所
-
岡 徹
日立
-
岡 徹
株式会社 日立製作所 中央研究所
-
大内 潔
株式会社 日立製作所 中央研究所
-
寺野 昭久
株式会社日立製作所中央研究所
-
大内 潔
(株)日立製作所中央研究所
-
増田 宏
株式会社 日立製作所 中央研究所
-
寺野 昭久
株式会社 日立製作所 中央研究所
-
松原 宏和
株式会社 日立製作所 中央研究所
-
物集 照天
株式会社 日立製作所 中央研究所
-
田上 知紀
株式会社 日立製作所 中央研究所
-
寺野 昭久
株式会社 日立製作所
-
岡 徹
株式会社 フジクラ
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