瞬間気相ドーピング法を用いた100 GHz Siバイポーラ技術
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概要
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10 Gb/s以上の高速光伝送用Siバイポーラトランジスタには遮断周波数のみならず最大発振周波数の向上が要求されている。我々は自己整合金属/IDP技術(SMI: Self-aligned metal/in-situ doped poly-Si)を用いたトランジスタの特性を報告してきた。今回はSMIトランジスタのベース層を瞬間気相ドーピング法(RVD: Rapid Vapor-phase Doping)によって形成し, 超高速動作を達成したので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-03-06
著者
-
鷲尾 勝由
(株)日立製作所 中央研究所
-
尾内 享裕
(株)日立製作所 中央研究所
-
鷲尾 勝由
(株)日立製作所中央研究所ulsi研究部
-
大植 栄司
日立
-
清田 幸弘
日立
-
大植 栄司
(株)日立製作所中央研究所
-
田邊 正倫
日立デバイスエンジニアリング株式会社武蔵野事業所
-
清田 幸弘
(株)日立製作所
-
稲田 太郎
法政大学工学部
-
田邊 正倫
(株)ルネサス北日本セミコンダクタ
-
尾内 享裕
日立 中研
-
田邊 正倫
(株)ルネサス北日本セミコンダク
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