SiGe選択エピタキシャル成長前の基板表面清浄化方法がHBT特性に与える影響の検討
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概要
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UHVCVDによるSiGe選択エピタキシャル成長前の基板表面清浄化方法として, 大流量H_2アニール, 高真空アニール, Si_2H_6によるガスエッチを検討した。その結果, 基板表面の酸素, 炭素, ボロンなどを完全に除去するためにはH_2アニールが必須であることがわかった。高真空アニールやSi_2H_6ガスエッチではコレクタ電流にリークが起こりやすいが, H_2アニールを行えばその問題が無く, 電気的にも良好な結晶が成長できていることがわかった。基板表面清浄化にH_2アニールを用いることでSiGeHBTの歩留まりが大きく向上することを明らかにした。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-10-13
著者
-
鷲尾 勝由
株式会社日立製作所中央研究所
-
鷲尾 勝由
(株)日立製作所中央研究所ulsi研究部
-
大植 栄司
日立
-
清田 幸弘
日立
-
島本 裕巳
日立デバイス
-
清田 幸弘
日立製作所中央研究所
-
近藤 将夫
(株)日立製作所中央研究所
-
田邊 正倫
日立デバイスエンジニアリング株式会社武蔵野事業所
-
速水 礼子
日立製作所中央研究所
-
鷲尾 勝由
日立製作所中央研究所
-
小田 克矢
日立製作所中央研究所
-
大植 栄司
日立製作所中央研究所
-
近藤 将夫
日立製作所中央研究所
-
山口 修
法政大学工学部
-
稲田 太郎
法政大学工学部
-
田邊 正倫
(株)ルネサス北日本セミコンダクタ
-
島本 裕巳
ルネサス北日本セミコンダクタ
-
小田 克矢
日立製作所
-
島本 裕己
日立デバイスエンジニアリング
-
田邊 正倫
(株)ルネサス北日本セミコンダク
-
山口 修
法政大
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