鷲尾 勝由 | 株式会社日立製作所中央研究所
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概要
関連著者
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鷲尾 勝由
株式会社日立製作所中央研究所
-
鷲尾 勝由
(株)日立製作所中央研究所ulsi研究部
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鷲尾 勝由
(株)日立製作所 中央研究所
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白水 信弘
株式会社日立製作所中央研究所
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増田 徹
株式会社日立製作所中央研究所
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島本 裕巳
ルネサス北日本セミコンダクタ
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島本 裕己
日立デバイスエンジニアリング
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増田 徹
(株)日立製作所中央研究所
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白水 信弘
株式会社日立製作所 中央研究所
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増田 徹
株式会社日立製作所 中央研究所
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白水 信弘
(株)日立製作所中央研究所
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大畠 賢一
(株)ルネサス北日本セミコンダクタ
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大植 栄司
日立
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速水 礼子
日立製作所中央研究所
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中村 宝弘
株式会社日立製作所中央研究所
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島本 裕巳
日立デバイス
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小田 克矢
日立製作所
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中村 宝弘
株式会社日立製作所 中央研究所
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大植 栄司
(株)日立製作所中央研究所
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原田 卓
(株)日立製作所デバイス開発センタ
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橋本 尚
(株)日立製作所 マイクロデバイス事業部
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大畠 賢一
日立デバイス
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小田 克矢
(株)日立製作所中央研究所
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速水 礼子
(株)日立製作所中央研究所
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田邊 正倫
(株)ルネサス北日本セミコンダクタ
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田邊 正倫
(株)ルネサス北日本セミコンダク
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渡邊 圭紀
(株)日立製作所デバイス開発センタ
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清田 幸弘
日立
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島本 裕己
日立デバイスエンジニアリング(株)
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鷲尾 勝由
日立製作所中央研究所
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児玉 彰弘
(株)ルネサス北日本セミコンダクタ 小平第2設計センタ
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橋本 尚
日立製作所 デバイス開発センタ
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中村 宝弘
(株)日立製作所中央研究所
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清田 幸弘
日立製作所中央研究所
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近藤 将夫
(株)日立製作所中央研究所
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菊地 広
(株)日立製作所デバイス開発センタ
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和田 真一郎
(株)日立製作所 マイクロデバイス事業部
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三浦 真
日立製作所
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和田 慎一郎
日立製作所 デバイス開発センタ
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荒川 文彦
(株)日立デバイスエンジニアリング
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田邊 正倫
日立デバイスエンジニアリング株式会社武蔵野事業所
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荒川 文彦
日立デバイスエンジニアリング株式会社武蔵野事業所
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有働 勉
日立超LSIシステムズ
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児玉 彰弘
日立デバイスエンジニアリング
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荒川 文彦
日立デバイス
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鷲尾 勝由
日立
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鷲尾 勝由
日立中央研究所
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渡邊 圭紀
(株)日立製作所
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菊地 広
(株)日立製作所マイクロデバイス事業部
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細江 英之
(株)日立製作所 デバイス開発センタ
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橋本 尚
日立・システム研
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渡邊 圭紀
(株)目立製作所デバイス開発センタ
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原田 卓
(株)目立製作所デバイス開発センタ
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菊地 広
(株)目立製作所デバイス開発センタ
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冨成 達也
日立
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小結 薫
日立
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細江 英之
日立
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藤原 裕章
日立超L
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小田 克矢
日立製作所中央研究所
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児玉 彰弘
(株)ルネサス北日本セミコンダクタ
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三浦 真
(株)日立製作所 中央研究所
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長嶋 敏夫
(株)日立製作所
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花沢 聡
(株)日立製作所
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工藤 正樹
(株)日立超LSIシステムズ
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武内 勇介
(株)日立製作所
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小山 明夫
(株)日立製作所デバイス開発センタ
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小山 明夫
日立デバイス開発センタ
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増田 徹
日立中央研究所
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近藤 博司
(株)日立製作所 中央研究所
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和田 真一郎
日立
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野中 裕介
日立
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斎藤 朋広
日立
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笹原 響子
日立
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渡邊 圭紀
日立
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村田 文夫
日立超L
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近藤 博司
株式会社日立製作所
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清田 幸弘
(株)日立製作所
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新井 満
日立超LSIエンジニアリング
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大植 栄司
日立製作所中央研究所
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近藤 将夫
日立製作所中央研究所
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山口 修
法政大学工学部
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稲田 太郎
法政大学工学部
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Kozhuharov Rumen
Chalmers University Of Technology
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長嶋 敏夫
(株)日立製作所, 家電研究所
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中村 明博
株式会社日立製作所中央研究所
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児玉 彰宏
(株)ルネサス北日本セミコンダクタ 小平第二設計センタ
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島本 裕巳
(株)ルネサス北日本セミコンダクタ 小平第2設計センタ
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和田 真一朗
日立
-
徳永 和明
日立
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吉田 仁紀
日立
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久保 真紀
日立
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瀬戸 基司
日立超L
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島本 裕己
ルネサス北セミ
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花沢 聡
株式会社日立製作所デバイス開発センタ
-
工藤 正樹
株式会社目立超LSIシステムズ
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丹波 裕子
株式会社日立製作所デバイス開発センタ
-
武内 勇介
株式会社日立製作所デバイス開発センタ
-
長嶋 敏夫
株式会社日立製作所デジタルメディア開発本部
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丹場 裕子
(株)日立製作所
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増田 徹
日立製作所中央研究所
-
白水 信弘
日立
-
白水 信弘
日立製作所中央研究所
-
Landen Lars
Chalmers University Of Technology
-
山口 修
法政大
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Lowenmark Vesa
Chalmers University of Technology
-
Zirath Herbert
Chalmers University of Technology
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中村 明博
株式会社日立製作所 中央研究所
-
新井 満
日立超l
-
有働 勉
日立超L
著作論文
- 24GHz 1V動作擬似縦積み型ミキサ回路(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- C-12-36 SiGe HBTを用いた43Gb/s 16:1MUX用低ジッタ出力回路の設計(C-12.集積回路C(アナログ))
- SiGe HBTを用いた43Gb/s光伝送システム16:1MUX ICモジュール向け低ジッタ出力回路の設計
- SiGe HBTを用いた43 Gb/s光伝送システム16:1MUX ICモジュール向け低ジッタ出力回路の設計(ミリ波デバイス・回路・システム応用一般)
- SiGe HBTを用いた43 Gb/s光伝送システム16:1MUX ICモジュール向け低ジッタ出力回路の設計(ミリ波デバイス・回路・システム応用一般)
- SiGe HBTを用いた43Gb/s光伝送システム16 : 1MUXICモジュール向け低ジッタ出力回路の設計
- 高性能SiGe HBT/0.13μm CMOS混載化デバイス技術と40Gb/s光通信用LSIへの応用
- C-10-15 SiGe HBTを用いた50Gb/s 4:1 MUX. 48Gb/s 1:4 DEMUX ICとICモジュールの開発
- 超高速自己整合構造SiGe HBTと光伝送用ICへの応用
- 高周波・高速用途向け自己整合構造SiGe HBT/CMOS技術
- 超高速200-GHz SiGe:C HBT技術
- HC1フリー選択エピタキシャル成長によるSiGe HBT(III族窒化物研究の最前線)
- HClフリー選択エピタキシャル成長によるSiGe HBT(III族窒化物研究の最前線)
- HC1フリー選択エピタキシャル成長によるSiGe HBT(III族窒化物研究の最前線)
- SiGe選択エピタキシャル成長前の基板表面清浄化方法がHBT特性に与える影響の検討
- C-12-45 擬似縦積および段間結合トランスを用いた24GHz帯低電力受信ICの試作(無線通信,C-12.集積回路,一般セッション)
- C-12-1 K帯向け低電力擬似縦積型ミキサの線形性向上の検討(C-12.集積回路,一般セッション)
- C-2-6 20GHz帯1V動作VCOと低電力ミラー周波数分周器の開発(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- 24GHz帯動作可能な高イメージ抑圧低雑音増幅回路の構成(アナログ,アナデジ混載,RF及びセンサインタフェース回路)
- 24GHz 1V動作擬似縦積み型ミキサ回路
- C-12-39 周辺グランドパターンを考慮した高精度インダクタモデル(C-12.集積回路C(アナログ),一般講演)
- C-12-32 再利用トランスフォーマ整合回路を用いた27GHz SiGe VCO(C-12.集積回路C(アナログ),一般講演)
- C-12-24 誘導電流制御可変インダクタを用いた4.5 GHz VCO(C-12.集積回路C(アナログ),一般講演)
- C-2-48 オンウェハスパイラルインダクタ等価回路モデルの検討(C-2. マイクロ波B(受動デバイス), エレクトロニクス1)
- C-12-34 短距離車載レーダ向け24GHz SiGe HBT低雑音増幅器の試作(C-12.集積回路C(アナログ),一般講演)
- 高性能 SiGe HBT/BiCMOS デバイス技術
- 高制御Si/SiGeエピタキシャル成長による超低消費電力SiGe HBTの実現
- C-11-1 リングエミッタトランジスタTEGを用いた自己整合構造SiGe HBTのベース抵抗評価(C-11.シリコン材料・デバイス,一般講演)
- C-11-1 超高速 SiGe HBT におけるエミッタ・アスペクト比の最適化検討
- C-12-33 3-10 GHzフルバンドUWB無線通信用低雑音増幅器(C-12.集積回路C(アナログ),一般講演)
- SiGeHBT/CMOSを用いた5.8GHzETC用シングルチップトランシーバIC
- C-12-39 SiGe HBT/CMOSを用いたETC用5.8GHzワンチップトランシーバIC
- SC-7-2 超高速SiGe HBT技術と40Gb/s光伝送用ICへの応用
- SiGe HBTを用いた40Gb/s光伝送システム用ICモジュールの開発
- C-12-32 SiGeHBTを用いた40Gb/s光伝送システム用AGCアンプ
- C-12-23 ベース接地トランジスタ入力型プリアンプの高精度設計の検討
- 自己整合選択成長SiGe HBT構造の最適化
- 自己整合選択成長SiGe HBT構造の最適化
- 自己整合選択成長SiGe HBT構造の最適化
- C-2-26 GaAs pHEMT 7-28 GHz 周波数 4 逓倍回路の試作
- 高速・高機能化が進む SiGe HBT 技術