三浦 真 | 日立製作所

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概要

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関連著者

• 三浦 真

  日立製作所

• 鷲尾 勝由

  株式会社日立製作所中央研究所

• 鷲尾 勝由

  (株)日立製作所中央研究所ulsi研究部

• 島本 裕巳

  ルネサス北日本セミコンダクタ

• 島本 裕己

  日立デバイスエンジニアリング

• 鷲尾 勝由

  (株)日立製作所 中央研究所

• 三浦 真

  (株)日立製作所 中央研究所

• 児玉 彰弘

  (株)ルネサス北日本セミコンダクタ 小平第2設計センタ

• 和田 真一郎

  (株)日立製作所 マイクロデバイス事業部

• 橋本 尚

  日立製作所 デバイス開発センタ

• 和田 慎一郎

  日立製作所 デバイス開発センタ

• 鷲尾 勝由

  日立

• 橋本 尚

  (株)日立製作所 マイクロデバイス事業部

• 鷲尾 勝由

  日立中央研究所

• 橋本 尚

  日立・システム研

• 冨成 達也

  日立

• 小結 薫

  日立

• 大植 栄司

  日立

• 細江 英之

  日立

• 藤原 裕章

  日立超L

• 島本 裕巳

  日立デバイス

• 大植 栄司

  (株)日立製作所中央研究所

• 新井 満

  日立超LSIエンジニアリング

• 有働 勉

  日立超LSIシステムズ

• 児玉 彰弘

  日立デバイスエンジニアリング

• 鷲尾 勝由

  日立製作所中央研究所

• 小田 克矢

  日立製作所中央研究所

• 児玉 彰弘

  (株)ルネサス北日本セミコンダクタ

• 細江 英之

  (株)日立製作所 デバイス開発センタ

• 島本 裕巳

  (株)ルネサス北日本セミコンダクタ 小平第2設計センタ

• 和田 真一朗

  日立

• 徳永 和明

  日立

• 吉田 仁紀

  日立

• 久保 真紀

  日立

• 瀬戸 基司

  日立超L

• 島本 裕己

  ルネサス北セミ

• 小田 克矢

  日立製作所

• 新井 満

  日立超l

• 有働 勉

  日立超L

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著作論文

• 超高速200-GHz SiGe:C HBT技術
• 高制御Si/SiGeエピタキシャル成長による超低消費電力SiGe HBTの実現
• C-11-1 リングエミッタトランジスタTEGを用いた自己整合構造SiGe HBTのベース抵抗評価(C-11.シリコン材料・デバイス,一般講演)
• C-11-1 超高速 SiGe HBT におけるエミッタ・アスペクト比の最適化検討

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