超高速200-GHz SiGe:C HBT技術
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概要
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- 2004-03-04
著者
-
和田 真一郎
(株)日立製作所 マイクロデバイス事業部
-
三浦 真
日立製作所
-
橋本 尚
日立製作所 デバイス開発センタ
-
和田 慎一郎
日立製作所 デバイス開発センタ
-
鷲尾 勝由
株式会社日立製作所中央研究所
-
鷲尾 勝由
日立
-
鷲尾 勝由
(株)日立製作所中央研究所ulsi研究部
-
橋本 尚
(株)日立製作所 マイクロデバイス事業部
-
鷲尾 勝由
日立中央研究所
-
橋本 尚
日立・システム研
-
冨成 達也
日立
-
小結 薫
日立
-
細江 英之
日立
-
藤原 裕章
日立超L
-
新井 満
日立超LSIエンジニアリング
-
有働 勉
日立超LSIシステムズ
-
細江 英之
(株)日立製作所 デバイス開発センタ
-
島本 裕巳
ルネサス北日本セミコンダクタ
-
和田 真一朗
日立
-
徳永 和明
日立
-
吉田 仁紀
日立
-
久保 真紀
日立
-
瀬戸 基司
日立超L
-
島本 裕己
ルネサス北セミ
-
島本 裕己
日立デバイスエンジニアリング
-
新井 満
日立超l
-
有働 勉
日立超L
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