10Gb/s GaAs EA変調器駆動IC
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
マルチメディア時代の到来により、光伝送システムの開発が本格化し、幹線系の伝送速度は、2.4Gb/sから10Gb/sへと大容量化されつつある。今回、10Gb/s光伝送システムにおける光送信モジュールの高性能化に必要なEA(Electro Absorption)変調器駆動ICを、0.35μmゲートGaAs HIGFET(Heterostructure Insulated Gate Field Effect Transistor)を用して試作し、良好な特性を得たので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-09-18
著者
-
山本 雅彦
(株)日立製作所デバイス開発センタ
-
石川 恭輔
(株)日立製作所中央研究所
-
纐纈 達也
日立デバイス開発センタ
-
石川 恭輔
日立製作所中央研究所
-
村田 淳
日立
-
山本 雅彦
日立製作所デバイス開発センタ
-
纐纈 達也
日立製作所デバイス開発センタ
-
福井 宗利
日立製作所デバイス開発センタ
-
諏訪 元大
日立製作所デバイス開発センタ
-
村田 淳
日立製作所情報通信事業部
-
新井 満
日立超LSIエンジニアリング
関連論文
- 10Gbit/S光伝送用大出力変調器駆動ICの開発
- B-10-96 InP及びSiGe HBT-ICを用いた40Gbit/s光受信器の試作
- InP/InGaAs HBTによる全IC化40Gbit/s光送信器
- InP/InGaAs HBTを用いた超高速光伝送用IC
- InP/InGaAs HBTを用いた超高速光伝送用IC
- InP/InGaAs HBTを用いた超高速光伝送用IC
- 広帯域分布型単相-差動変換回路
- 40 Gbit/s光伝送用InP/InGaAs HBT IC
- 40Gbit/s伝送用光変調器モジュールのIC駆動
- C-6-11 マルチチップモジュールによる全IC化40Gbit/s光受送信器
- 10Gbit/s光伝送用PLL-IC
- 10Gb/s GaAs EA変調器駆動IC
- GaAs EA変調器駆動回路IC
- 超高速200-GHz SiGe:C HBT技術
- 鉛フリーはんだ付け工法の光伝送モジュールへの適用
- GaAsHIGFETにおけるゲートリーク電流発生機構
- 2.5 Gb/s EA-DFB外部変調型光送信機のNDSF 500km 伝送特性
- 10Gbit/s波形調整機能付EA変調器駆動IC
- GaAs FETの周波数依存性デバイスモデルの開発
- C-12-34 SiGe HBTを用いた40Gb/s光伝送システム用1:4DEMUX IC