GaAs EA変調器駆動回路IC
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
2.5Gb/s EA変調器駆動ICを開発した。デバイスは高gmかつ高ftが実現できる0.4μm GaAs HIGFET(Heterostructure Insulated Gate Field Effect Transistor)を用いた。またIC出力のリンギング抑制の為、出力段FETのゲートとGND間に容量Cを配置した。ICの実装には14pinセラミックパッケージを用いた。試作評価の結果、出力振幅は最大2.6Vppでtr/tf(10%-90%)は約80ps、出力反射S22はDC近傍〜2.5GHzで-7.4dB以下と良好な値を得た。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-08-25
著者
-
山本 雅彦
(株)日立製作所デバイス開発センタ
-
石川 恭輔
(株)日立製作所中央研究所
-
纐纈 達也
日立デバイス開発センタ
-
石川 恭輔
日立製作所中央研究所
-
村田 淳
日立
-
山本 雅彦
日立製作所デバイス開発センタ
-
纐纈 達也
日立製作所デバイス開発センタ
-
福井 宗利
日立製作所デバイス開発センタ
-
村田 淳
日立製作所情報通信事業部
-
八田 康
日立製作所デバイス開発センタ
-
香山 聡
日立超LSIエンジニアリング株式会社
関連論文
- 10Gbit/S光伝送用大出力変調器駆動ICの開発
- B-10-96 InP及びSiGe HBT-ICを用いた40Gbit/s光受信器の試作
- InP/InGaAs HBTによる全IC化40Gbit/s光送信器
- InP/InGaAs HBTを用いた超高速光伝送用IC
- InP/InGaAs HBTを用いた超高速光伝送用IC
- InP/InGaAs HBTを用いた超高速光伝送用IC
- 広帯域分布型単相-差動変換回路
- 40 Gbit/s光伝送用InP/InGaAs HBT IC
- 40Gbit/s伝送用光変調器モジュールのIC駆動
- C-6-11 マルチチップモジュールによる全IC化40Gbit/s光受送信器
- 10Gbit/s光伝送用PLL-IC
- 10Gb/s GaAs EA変調器駆動IC
- GaAs EA変調器駆動回路IC
- 鉛フリーはんだ付け工法の光伝送モジュールへの適用
- GaAsHIGFETにおけるゲートリーク電流発生機構
- 2.5 Gb/s EA-DFB外部変調型光送信機のNDSF 500km 伝送特性
- 10Gbit/s波形調整機能付EA変調器駆動IC
- GaAs FETの周波数依存性デバイスモデルの開発
- C-12-34 SiGe HBTを用いた40Gb/s光伝送システム用1:4DEMUX IC