10Gbit/S光伝送用大出力変調器駆動ICの開発
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概要
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光伝送システムの伝送容量が、2.4Gbit/sから10Gbit/sになるに従い、光変調方式として信号光のスペクトル拡がりを抑制し、伝送距離をのばすことが可能な外部変調方式へと移行してきた。この外部変調方式は、光変調素子を用いて実現することができるが、変調素子を駆動する電圧は一般に高いことが知られており、高速かつ大振幅の駆動lCの開発が急がれている。今回、2.4Gbit/s光伝送システムに適用したFETを高性能化、大振幅用に改良したデバイスを用いて、駆動ICを実現したので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-09-26
著者
-
高橋 靖
(株)日立製作所情報通信事業部
-
石川 恭輔
日立中央研究所
-
今井 一男
日立デバイス開発センタ
-
武鎗 良治
日立中央研究所
-
松永 信敏
日立デバイス開発センタ
-
村田 淳
日立光技術推進事業本部
-
八田 康
日立デバイス開発センタ
-
高橋 靖
日立光技術推進事業本部
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今井 一男
(株)日立製作所中央研究所
-
武鎗 良治
(株)日立製作所 中央研究所
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石川 恭輔
(株)日立製作所中央研究所
-
武鎗 良治
日立製作所中央研究所
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村田 淳
日立
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村田 淳
日立製作所情報通信事業部
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八田 康
日立製作所デバイス開発センタ
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松永 信敏
(株)日立製作所半導体事業部
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