TCADを用いた統計的手法による0.12μmCMOSデバイスの設計

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概要

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• 近年、LSIの高性能化・大規模化にともない、LSIの信頼性を確保するために不可欠であるIddqテスト仕様が大きな課題となっている。このIddqテストを可能とし、LSI目標性能を達成するためのデバイス最適化設計が必要である。本論文では、Iddqテストを可能とするためIoffワースト規格(4e-10A/um)を設定し、TCADとRSF(レスポンス・サーフィス関数法)を用いてIoffワーストを一定とした異なるVth-Lg特性をもつデバイスを設計し従来デバイス設計手法と性能比較を行った。LSI動作周波数のバラツキ解析よりVth-Lg特性のroll offが大きいデバイスが最適であることを明確化した。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2000-09-15

著者

• 和田 真一郎

  (株)日立製作所 マイクロデバイス事業部

• 森 和孝

  日立製作所デバイス開発センタ

• 和田 慎一郎

  日立製作所 デバイス開発センタ

• 佐藤 久子

  日立製作所デバイス開発センタ

• 福田 智之

  日立製作所デバイス開発センタ

• 本澤 純

  日立製作所デバイス開発センタ

• 和田 真一郎

  日立製作所デバイス開発センタ

• 国友 久彰

  日立超LSIシステムズ

• 和田 真一郎

  日立製作所

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