実験計画法を用いたMOSFETモビリティモデル最適化手法の検討
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概要
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デバイスシミュレータのモビリティモデルパラメータ最適化手法の検討を行った。実験計画法を用いた最適化手法により、表面散乱と速度飽和に関する3つのパラメータに対して15回のデバイスシミュレータの計算からLg=0.23〜1umでVg-Id特性、Vd-Id特性に対し絶対誤差4%の精度での合わせ込みが可能な事を確認した。本手法により最適化解析回数の固定による最適化時間の短縮とフレキシビリティを持つ最適化を行う事が可能となる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-10-22
著者
-
増田 弘生
(株)日立製作所デバイス開発センタ
-
佐藤 久子
日立製作所デバイス開発センタ
-
常野 克己
日立製作所デバイス開発センタ
-
増田 弘生
日立製作所デバイス開発センタ
-
常野 克巳
日立製作所 デバイス開発センタ
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