多変量解析法によるMOSFET電流駆動能力に関する検討
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概要
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N型MOSトランジスタのドレイン電流に関するデータベースを作成した。本研究では多変量解析法を用いドレイン電流、実効チャネル長、ゲート酸化膜厚、実効ゲート電圧を変数としてLeff=0.25umまで適用可能な回帰式Ids=exp(0.676-0.505lnTox-0.688lnLeff+1.223lnVe)を導出している。この結果、上記変数を代入することによりドレイン電流の実測結果に基づく概略値を知る事ができる。また、上記変数を代入することによりドレイン電流の実測結果に基づく概略値を知る事ができる。また、上記解析結果より、メモリ用ではロジック等のデバイスに対し1um以下の短チャネル領域でチャネル長に対するドレイン電流の増加率が低下している事を明らかにした。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-09-14
著者
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