VLSI配線容量のシミュレーションと評価
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概要
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VLSIの微細化にともない、配線容量による回路遅延が回路動作に大きな影響を与え、回路の設計段階で重要となってきた。従来、回路解析では構造パラメータであるピッチ(P)・配線幅(W)・絶縁膜厚(Tox)・配線膜厚(Tw)を変えてシミュレーション解していたが、結果を得るのに時間を要し、しかも配線容量の最適解が得られないという欠点があった。本報告では、デバイスシミュレータ解析値と実測値の比較を行なった後に、P・W・Tox・Tw依存性を明確に表したピッチ配線容量チャートを作成した。また、ピッチ配線が2層になった場合やSiN等の高誘電体材料の寄生効果を明確にし、ピッチ配線容量チャートの応用を可能とした。
- 1993-09-16
著者
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増田 弘生
(株)日立製作所デバイス開発センタ
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市川 仁子
日立製作所デバイス開発センタ
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佐藤 久子
日立製作所デバイス開発センタ
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常野 克己
日立製作所デバイス開発センタ
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中村 高秀
日立製作所デバイス開発センタ
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増田 弘生
日立製作所デバイス開発センタ
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