ASICおよびMPU開発のTCAD/DA

概要

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微細化にともないプロセスは複雑化し、従来の延長上の技術開発では高性能LSI(MPU/ASIC)開発は困難になりつつある。その原因の1つはプロセスバラツキにより生じるしきい電圧(Vth)、ドレイン電流(Ids)の等の回路性能を決定するデバイス特性、およびチップ性能を律則しはじめた配線ディレイのバラツキがプロセス、デバイスの微細化にたいして相対的に大きくなってくる可能性があることである。更にMPU/ASIC開発においてもDRAMと同様プロセスと回路・チップ設計をコンカレントに行わざるを得ない状況になってきたということにある。本論文はこのような状況に対して従来広くMPU/ASIC設計開発手法として採用されてきたDAトップダウン設計手法と、サブミクロンプロセス開発に力を発揮しはじめたTCAD(TechnologyCAD)とを相補的に組み合わせ、新しい設計環境および設計手法として提起するものである。すなわち、最新のプロセス開発をともなったMPUおよびASICの設計開発(生産)という課題に対して、プロセス仕様に対応する特性ばらつきを含めたチップ(回路)性能の相関をTCAD/DAにより短いTAT(Turn Around Time)で定量化するシステムを提供することである。
社団法人電子情報通信学会の論文
1998-03-06