極低しきい値MOSを使用した高性能マイクロプロセッサの設計手法
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概要
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低電源電圧で回路性能を改善するために必要な極低V_<TH>を応用する高性能CMOS MPUの新しい設計方法論を提案する。基板バイアス制御、マルチV_<TH>、低温IDDQ試験、そしてΔIDDG試験により、IDDQ試験時のバックグラウンドリーク電流を増やすこと無く、動作周波数を向上する事が可能となる。結果として、IDDQ試験での不良検出感度を下げることなく、64bitMPUの動作周波数を340MHzから560MHzに改善する事に成功した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2001-07-27
著者
-
宮本 和久
日立製作所エンタープライズサーバ事業部
-
三宅 保
(株)日立製作所 デバイス開発センタ
-
山下 毅雄
(株)日立製作所 デバイス開発センタ
-
浅利 則克
(株)日立製作所 日立超LSIシステムズ
-
関坂 秀樹
(株)日立製作所 日立超LSIシステムズ
-
酒井 透
(株)日立製作所 日立超LSIシステムズ
-
松浦 和宏
(株)日立製作所 日立超LSIシステムズ
-
若原 篤志
(株)日立製作所 デバイス開発センタ
-
高橋 英行
(株)日立製作所 デバイス開発センタ
-
檜山 徹
(株)日立製作所 エンタープライズサーバ事業部
-
宮本 和久
(株)日立製作所 エンタープライズサーバ事業部
-
森 和孝
(株)日立製作所 デバイス開発センタ
-
若原 篤
(株)日立製作所デバイス開発センタ
-
酒井 透
(株)日立製作所日立超lsiシステムズ
-
森 和孝
(株)日立製作所デバイス開発センタ
-
三宅 保
(株)日立製作所デバイス開発センタ
-
檜山 徹
(株)日立製作所エンタープライズサーバ事業部
-
檜山 徹
(株)日立製作所
-
山下 毅雄
(株)日立製作所デバイス開発センタ
-
松浦 和宏
(株)日立製作所日立超lsiシステムズ
-
関坂 秀樹
(株)日立製作所日立超lsiシステムズ
-
浅利 則克
(株)日立製作所日立超lsiシステムズ
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