TCADキャリブレーションの問題と統計手法の利用技術

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概要

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• LSIの開発期間の短縮、開発費の低減を目標としてTCAD(Technology Computer Aided Design)の利用技術を立ち上げてきた。本研究では、TCADの精度向上のために開発してきた方法をもとにしたTCADによるデバイス特性予測方法をまとめた。TCAD利用技術の主な技術は次の3点である。(1)拡散定数データベース、(2)ドレイン電流データベース、(3)統計手法を利用したキャリブレーション。これにより、CMOS用デバイスのばらつき解析において、しきい電圧誤差0.02V以下、ドレイン電流誤差3%以下の予測を可能とした。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 1996-11-14

著者

• 増田 弘生

  (株)日立製作所デバイス開発センタ

• 市川 仁子

  日立製作所デバイス開発センタ

• 佐藤 久子

  日立製作所デバイス開発センタ

• 常野 克己

  日立製作所デバイス開発センタ

• 増田 弘生

  日立製作所デバイス開発センタ

• 青山 仁子

  日立製作所デバイス開発センタ

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