感度解析によるCMOSプロセス設計
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概要
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CMOSの回路設計においては、デバイス特性バラツキを適切に見積もることが性能向上のために必要とされているが、近年、微細化にともないプロセスは複雑化し、バラツキ予測は困難になってきている。このような状況の中で、LSIの設計期間の短縮と設計の質の向上を目的に、シミュレーションとRSF(レスポンス・サーフェス関数法)を利用した高精度デバイス特性バラツキ予測を行う手法を研究してきた。本論文では、サブミクロンCMOSにおいて、プロセスデータを基にデバイス特性バラツキ予測を行い、精度評価、デバイス特性バラツキの各プロセス工程別成分内訳表作成とワースト回路モデルパラメータ抽出・評価を行った。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-09-27
著者
-
増田 弘生
(株)日立製作所デバイス開発センタ
-
市川 仁子
日立製作所デバイス開発センタ
-
佐藤 久子
日立製作所デバイス開発センタ
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常野 克己
日立製作所デバイス開発センタ
-
増田 弘生
日立製作所デバイス開発センタ
-
青山 仁子
日立製作所デバイス開発センタ
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