C-12-33 SiGe HBTを用いた40Gb/s光伝送用アナログIC
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-09-07
著者
-
鷲尾 勝由
(株)日立製作所 中央研究所
-
増田 徹
(株)日立製作所中央研究所
-
白水 信弘
(株)日立製作所中央研究所
-
鷲尾 勝由
(株)日立製作所中央研究所ulsi研究部
-
白水 信弘
株式会社日立製作所中央研究所
-
大畠 賢一
日立デバイス
-
大畠 賢一
(株)ルネサス北日本セミコンダクタ
-
荒川 文彦
(株)日立デバイスエンジニアリング
-
島本 裕巳
日立デバイス
-
荒川 文彦
日立デバイスエンジニアリング株式会社武蔵野事業所
-
荒川 文彦
日立デバイス
-
島本 裕巳
ルネサス北日本セミコンダクタ
関連論文
- 24GHz 1V動作擬似縦積み型ミキサ回路(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- 超高速シリコンバイポーラデバイスの低消費電力化
- 24GHz帯動作可能な高イメージ抑圧低雑音増幅回路の構成(アナログ,アナデジ混載,RF及びセンサインタフェース回路)
- 10Gb/s短距離光伝送システム用高感度・広ダイナミックレンジSiバイポーラプリアンプIC
- 10Gb/s短距離光伝送用高トランスインピーダンス広ダイナミックレンジSiバイポーラ前置増幅器IC
- 10Gbit/s光受信器用Si前置増幅器の周波数特性の平坦化の検討
- B-10-96 InP及びSiGe HBT-ICを用いた40Gbit/s光受信器の試作
- 高速10チャネル集積化光インタコネクト用小型送信モジュール
- 高速10チャネル集積化光インタコネクト用送信モジュール
- 高速10チャネル集積化光インタコネクト用受信モジュール
- 39.8-43GHz VCOを内蔵したフルレート動作OC-768対応16:1多重・1:16分離LSI
- C-12-36 SiGe HBTを用いた43Gb/s 16:1MUX用低ジッタ出力回路の設計(C-12.集積回路C(アナログ))
- フルレートクロック動作40-43Gビット/秒16多重・分離LSI(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- フルレートクロック動作40-43Gビット/秒16多重・分離LSI(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- SiGe HBTを用いた43Gb/s光伝送システム16:1MUX ICモジュール向け低ジッタ出力回路の設計
- SiGe HBTを用いた43 Gb/s光伝送システム16:1MUX ICモジュール向け低ジッタ出力回路の設計(ミリ波デバイス・回路・システム応用一般)
- SiGe HBTを用いた43 Gb/s光伝送システム16:1MUX ICモジュール向け低ジッタ出力回路の設計(ミリ波デバイス・回路・システム応用一般)
- SiGe HBTを用いた43Gb/s光伝送システム16 : 1MUXICモジュール向け低ジッタ出力回路の設計
- 高性能SiGe HBT/0.13μm CMOS混載化デバイス技術と40Gb/s光通信用LSIへの応用
- 擬似2層構造を有する高精度多結晶シリコン抵抗の提案と実験的検討(集積エレクトロニクス)
- 高精度多結晶シリコン抵抗設計式の検討
- 高精度二層多結晶シリコン抵抗の開発(2)
- 高精度二層多結晶シリコン抵抗の開発(1)
- C-10-15 SiGe HBTを用いた50Gb/s 4:1 MUX. 48Gb/s 1:4 DEMUX ICとICモジュールの開発
- 超高速自己整合構造SiGe HBTと光伝送用ICへの応用
- 高周波・高速用途向け自己整合構造SiGe HBT/CMOS技術
- SiGe HBTを用いた40Gb/s光伝送用高利得プリアンプICの開発
- SiGe HBTを用いた40Gb/s光伝送用高利得プリアンプICの開発
- 10Gb/s短距離光伝送用高トランスインピーダンス広ダイナミックレンジSiバイポーラ前置増幅器IC
- 10Gb/s短距離光伝送用高トランスインピーダンス広ダイナミックレンジSiバイポーラ前置増幅器IC
- 超高速200-GHz SiGe:C HBT技術
- HC1フリー選択エピタキシャル成長によるSiGe HBT(III族窒化物研究の最前線)
- HClフリー選択エピタキシャル成長によるSiGe HBT(III族窒化物研究の最前線)
- HC1フリー選択エピタキシャル成長によるSiGe HBT(III族窒化物研究の最前線)
- SiGe選択エピタキシャル成長前の基板表面清浄化方法がHBT特性に与える影響の検討
- 超高速光伝送用20GHz 49dBΩベース接地トランジスタ入力段付加型Siバイポーラ前置増幅器の試作
- 瞬間気相ドーピング法を用いた100 GHz Siバイポーラ技術
- 瞬間気相拡散法によりベースを形成したSiバイポーラトランジスタの試作と評価
- C-12-45 擬似縦積および段間結合トランスを用いた24GHz帯低電力受信ICの試作(無線通信,C-12.集積回路,一般セッション)
- C-12-1 K帯向け低電力擬似縦積型ミキサの線形性向上の検討(C-12.集積回路,一般セッション)
- C-2-6 20GHz帯1V動作VCOと低電力ミラー周波数分周器の開発(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- 24GHz帯動作可能な高イメージ抑圧低雑音増幅回路の構成(アナログ,アナデジ混載,RF及びセンサインタフェース回路)
- 24GHz 1V動作擬似縦積み型ミキサ回路
- C-12-39 周辺グランドパターンを考慮した高精度インダクタモデル(C-12.集積回路C(アナログ),一般講演)
- C-12-32 再利用トランスフォーマ整合回路を用いた27GHz SiGe VCO(C-12.集積回路C(アナログ),一般講演)
- C-12-24 誘導電流制御可変インダクタを用いた4.5 GHz VCO(C-12.集積回路C(アナログ),一般講演)
- C-2-48 オンウェハスパイラルインダクタ等価回路モデルの検討(C-2. マイクロ波B(受動デバイス), エレクトロニクス1)
- C-12-34 短距離車載レーダ向け24GHz SiGe HBT低雑音増幅器の試作(C-12.集積回路C(アナログ),一般講演)
- 高性能 SiGe HBT/BiCMOS デバイス技術
- 高制御Si/SiGeエピタキシャル成長による超低消費電力SiGe HBTの実現
- C-11-1 リングエミッタトランジスタTEGを用いた自己整合構造SiGe HBTのベース抵抗評価(C-11.シリコン材料・デバイス,一般講演)
- C-11-1 超高速 SiGe HBT におけるエミッタ・アスペクト比の最適化検討
- C-12-33 3-10 GHzフルバンドUWB無線通信用低雑音増幅器(C-12.集積回路C(アナログ),一般講演)
- 側壁ベ-ス電極形トランジスタ特性の構造依存性 (シリコンLSIの高性能化技術特集) -- (デバイス技術--バイポ-ラ)
- SiGeHBT/CMOSを用いた5.8GHzETC用シングルチップトランシーバIC
- C-12-39 SiGe HBT/CMOSを用いたETC用5.8GHzワンチップトランシーバIC
- 超高速ECL-CMOS SRAMのビット線負荷の配置に関する検討
- 低電圧用途向けベースブースト方式BiCMOS回路
- ダミーメモリセルを用いた超高速SRAM用書き込みパルス発生回路
- SC-7-2 超高速SiGe HBT技術と40Gb/s光伝送用ICへの応用
- C-12-33 SiGe HBTを用いた40Gb/s光伝送用アナログIC
- 40Gb/s光伝送用SiGe HBT前置増幅器の試作
- 分割モデルによる自己整合型ハイボーラトランジスタのベース抵抗の検討
- SiGeヘテロ接合バイポーラトランジスタ
- SiGe HBTを用いた40Gb/s光伝送システム用ICモジュールの開発
- C-12-32 SiGeHBTを用いた40Gb/s光伝送システム用AGCアンプ
- C-12-23 ベース接地トランジスタ入力型プリアンプの高精度設計の検討
- C-12-34 SiGe HBTを用いた40Gb/s光伝送システム用1:4DEMUX IC
- トランスインピーダンス形回路を用いた超高速SRAM用センス回路の提案
- エミッタフォロワ回路における配線寄生素子の高周波特性への影響
- ECL-CMOS SRAM用書き込み回路の検討
- 自己整合SiGe HBTを用いた超高速ECL回路とゲート遅延時間の解析
- 12-ps ECL 自己整合金属/IDP Siバイポーラ技術
- 自己整合金属/IDP技術による超高速バイポーラトランジスタの試作と評価(2)
- 自己整合金属/IDP技術による超高速バイポーラトランジスタの試作と評価(1)
- 自己整合選択成長SiGe HBT構造の最適化
- 自己整合選択成長SiGe HBT構造の最適化
- 自己整合選択成長SiGe HBT構造の最適化
- C-2-26 GaAs pHEMT 7-28 GHz 周波数 4 逓倍回路の試作
- 高速・高機能化が進む SiGe HBT 技術
- トランスフォーマ段間結合技術を用いた低電力K帯トランシーバICの試作
- トランスフォーマ段間結合技術を用いた低電力K帯トランシーバICの試作