24GHz帯動作可能な高イメージ抑圧低雑音増幅回路の構成(アナログ,アナデジ混載,RF及びセンサインタフェース回路)
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概要
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本報告では24GHz帯やより高周波で動作する低雑音増幅回路(LNA)を対象に,高いイメージ抑圧効果を備える増幅回路の構成の原理検討とSiGe HBTを用いた設計・試作評価結果について述べる。提案回路は、受動素子で構成したノッチ回路を帰還回路に採用して入力整合をイメージ周波数と信号周波数で大幅に変化させ、さらにイメージ周波数にて増幅トランジスタを等価的に入出力短絡させて利得を急峻に減衰させる技術を導入することで、高いイメージ抑圧を可能にする。提案回路の原理検証のため,0.18μm SiGe BiCMOSプロセスを用いてTEG回路の設計と試作評価を行った結果,27.2GHzにて利得14dB,21.6GHzにて50.3dBのイメージ抑圧比を確認した。電源電圧1.2V,消費電力は7.9mWの場合に,歪特性(IIP3)は-14dBmであった。
- 社団法人映像情報メディア学会の論文
- 2009-10-01
著者
-
鷲尾 勝由
(株)日立製作所 中央研究所
-
増田 徹
(株)日立製作所中央研究所
-
白水 信弘
(株)日立製作所中央研究所
-
中村 宝弘
(株)日立製作所中央研究所
-
鷲尾 勝由
株式会社日立製作所中央研究所
-
鷲尾 勝由
(株)日立製作所中央研究所ulsi研究部
-
白水 信弘
株式会社日立製作所中央研究所
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増田 徹
株式会社日立製作所中央研究所
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中村 宝弘
株式会社日立製作所中央研究所
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中村 宝弘
株式会社日立製作所 中央研究所
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白水 信弘
株式会社日立製作所 中央研究所
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増田 徹
株式会社日立製作所 中央研究所
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