速水 礼子 | (株)日立製作所中央研究所
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概要
関連著者
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鷲尾 勝由
(株)日立製作所 中央研究所
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鷲尾 勝由
(株)日立製作所中央研究所ulsi研究部
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日立
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大植 栄司
(株)日立製作所中央研究所
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小田 克矢
(株)日立製作所中央研究所
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速水 礼子
(株)日立製作所中央研究所
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速水 礼子
日立製作所中央研究所
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ルネサス北日本セミコンダクタ
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日立デバイスエンジニアリング
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鷲尾 勝由
株式会社日立製作所中央研究所
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島本 裕己
日立デバイスエンジニアリング(株)
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近藤 将夫
(株)日立製作所中央研究所
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(株)ルネサス北日本セミコンダクタ
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(株)ルネサス北日本セミコンダク
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原田 卓
(株)日立製作所デバイス開発センタ
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増田 徹
(株)日立製作所中央研究所
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(株)日立製作所中央研究所
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株式会社日立製作所中央研究所
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(株)ルネサス北日本セミコンダクタ
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(株)日立デバイスエンジニアリング
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島本 裕巳
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田邊 正倫
日立デバイスエンジニアリング株式会社武蔵野事業所
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橋本 尚
(株)日立製作所 マイクロデバイス事業部
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清田 幸弘
日立
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(株)日立製作所
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白水 信弘
株式会社日立製作所 中央研究所
著作論文
- C-10-15 SiGe HBTを用いた50Gb/s 4:1 MUX. 48Gb/s 1:4 DEMUX ICとICモジュールの開発
- 超高速自己整合構造SiGe HBTと光伝送用ICへの応用
- 高周波・高速用途向け自己整合構造SiGe HBT/CMOS技術
- SiGe HBTを用いた40Gb/s光伝送用高利得プリアンプICの開発
- SiGe HBTを用いた40Gb/s光伝送用高利得プリアンプICの開発
- SC-7-2 超高速SiGe HBT技術と40Gb/s光伝送用ICへの応用
- 自己整合SiGe HBTを用いた超高速ECL回路とゲート遅延時間の解析
- 自己整合選択成長SiGe HBT構造の最適化
- 自己整合選択成長SiGe HBT構造の最適化
- 自己整合選択成長SiGe HBT構造の最適化