超高速SiGe HBTに向けたSi/SiGe連続エピタキシャル成長技術(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))

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概要

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コールドウォールラピッドサーマルUHV/CVD装置を用いて、異なる伝導型を含んだSi/SiGe多層構造を実現する連続エピタキシャル成長技術を開発した。PドーピングにはSi_2H_6を原料ガスとするLPCVD法を用いることにより、高温の活性化処理を行うことなく結晶性の良好な高濃度PドープSi層を成長することができた。また、超高真空中でウェハを搬送することで表面汚染を抑制し、クリーニングに伴う熱処理の低減によってHBT 構造の結晶性が向上することを高分解能X線回折により確認した。以上の結果から、連続エピタキシャル成長を用いることにより、SiGe HBTの高性能化に必須である高い結晶性とドーピングプロファイルの高精度制御の両立が可能であることを明らかにした。
2007-06-18

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