3-1 システムLSIを支えるデバイス, プロセス技術 (3. 基盤技術)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
システムLSIではシステムを一つのチップに集積した, いわゆるシステムオンチップ技術が注目を集めている. オンすることでシステムの高機能化はもちろん, 高性能, 高信頼性が実現できる. またオンチップは, システムの小型化, 低消費電力化, 低コスト化を達成するためにも必要不可欠な技術である. 半導体デバイス,プロセス技術の分野では素子の微細化を中心とした技術革新を進め, 様々なデバイスのオンチップ化を実現している. 本稿では微細デバイス, プロセスの現状と今後の方向, 各種素子をオンチップ化する技術, 微細化を支える加工技術について説明する. 更に生産技術として, 開発/試作期間短縮, 低コスト化について考察する.最 後に微細デバイスの分析技術について述べる.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2001-08-01
著者
-
尾内 享裕
(株)日立製作所 中央研究所
-
池田 修二
Advanced Technology Development Facility
-
三井 泰裕
(株)日立ハイテクノロジーズ
-
三井 泰裕
(株)日立製作所半導体事業部
-
池田 修二
トレセンティーテクノロジーズ株式会社
-
徳永 尚文
(株)日立製作所デバイス開発センター
-
尾内 享裕
日立 中研
-
徳永 尚文
日立 デバイス開セ
関連論文
- SiO_xN_y/Si界面の位置分解EELS計測
- 有機SOG(k=2.9)を用いた0.18μm CMOS用の0.5μmピッチCuデュアルダマシン配線
- 極薄ゲート絶縁膜MOSFETの量子力学的解析
- 絶縁膜用UHF-ECRプラズマエッチング装置 (特集 最新の半導体技術とその応用) -- (半導体製造・検査システム)
- 超高速光伝送用20GHz 49dBΩベース接地トランジスタ入力段付加型Siバイポーラ前置増幅器の試作
- 瞬間気相ドーピング法を用いた100 GHz Siバイポーラ技術
- 瞬間気相拡散法によりベースを形成したSiバイポーラトランジスタの試作と評価
- 3-1 システムLSIを支えるデバイス, プロセス技術 (3. 基盤技術)
- ULSIデバイス・プロセスの不良解析
- ナノプローブ技術を応用した4深針プローバによる単体実デバイスの電気特性評価技術
- ナノプローブ技術を応用した4探針プローバによる単体実デバイスの電気特性評価技術
- 6.揮発性半導体メモリ(大容量化が進むストレージ技術)
- TEM-EELSによる半導体デバイスの局所化学結合状態解析
- EF-TEMによるLSI用高誘電体膜の分析評価
- 100nm世代のSoCプラットフォームに向けた丈高速および低電力/RF用途対応50nmCMOS技術
- ULSI用高純度ガス中の超微量不純物分析技術--大気圧イオン化質量分析計によるガス中超微量不純物分析技術
- 分割モデルによる自己整合型ハイボーラトランジスタのベース抵抗の検討
- テクノトーク 情報活用の可能性を広げ,新たな感動の創出に貢献するユビキタスHDDソリューション (特集1 ユビキタスHDD)
- ユビキタスHDDソリューション (特集 デジタルが広げるユビキタス映像ライフ)
- サブ100nm時代の半導体プロセス・製造技術の展望 (特集 最先端半導体デバイスの生産を実現するベストソリューション)
- 0.1μm時代の半導体製造・検査技術の展望 (特集 最新の半導体技術とその応用) -- (半導体製造・検査システム)
- 12-ps ECL 自己整合金属/IDP Siバイポーラ技術
- 自己整合金属/IDP技術による超高速バイポーラトランジスタの試作と評価(2)
- 自己整合金属/IDP技術による超高速バイポーラトランジスタの試作と評価(1)
- システムLSIを支えるプロセス技術 (特集 最新の半導体技術とその応用) -- (システムLSI技術)