ナノプローブ技術を応用した4深針プローバによる単体実デバイスの電気特性評価技術
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概要
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故障個所を特定するために従来から用いられている手法では,故障個所を十分絞り込むことが出来ない場合がある.故障が推定されるトランジスタやコンタクト抵抗などを直接測定することができれば,詳細な故障個所が分かり,SEMやTEM等の物理解析に持ち込むことができるが,光学顕微鏡下で針当てをする従来型のプローバでサブミクロンのデバイスを測定することは難しい.そこで,報告者らは,ナノプローブ技術を応用した4探針プローバ「ナノプローバ」を開発し,実用化している.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-01-23
著者
-
矢野 史子
(株)ルネサステクノロジ 解析技術開発部
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矢野 史子
(株)日立製作所 半導体グループ
-
水野 貴之
株式会社ルネサステクノロジ
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梅村 馨
(株)日立製作所中央研究所
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三井 泰裕
(株)日立ハイテクノロジーズ
-
柳田 博史
株式会社ルネサステクノロジ
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柳田 博史
(株)日立製作所半導体グループ
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水野 貴之
(株)日立製作所半導体グループ
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矢野 史子
(株)日立製作所 中央研究所
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