ナノプローバとTEMを用いた不良解析手法の開発(LSIシステムの実装・モジュール化技術及びテスト技術,一般)
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概要
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ナノプローバは単体実デバイスの電気特性を評価するために開発された技術である。これにより不良箇所をデバイスの構成要素単位で特定し、その場所の構造的な異常(異物、加工不良、反応生成物等)をTEM観察・分析TEMにより確実に見つけ出すことが可能となった。このナノプローバとTEMの組み合わせによる解析は不良箇所の電気特性と構造的な異常とを一対一で対応付けることが出来、不良の根本原因から最終的な不良症状に至るまでの因果関係解明の大きな手掛かりとなる。解決策もより確実なものが提案できるため、本手法は実際の不良解析および解決策構築に有効なものとなっている。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-01-29
著者
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矢野 史子
(株)ルネサステクノロジ 解析技術開発部
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水野 貴之
株式会社ルネサステクノロジ
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荒川 史子
株式会社ルネサステクノロジ
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矢野 史子
株式会社ルネサステクノロジ
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柳田 博史
株式会社ルネサステクノロジ
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小川 吉文
株式会社ルネサステクノロジ
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寺田 尚平
株式会社日立製作所日立研究所
-
朝山 匡一郎
株式会社ルネサステクノロジ
-
朝山 匡一郎
(株)ルネサステクノロジ 解析技術開発部
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