矢野 史子 | (株)ルネサステクノロジ 解析技術開発部
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概要
関連著者
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矢野 史子
(株)ルネサステクノロジ 解析技術開発部
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朝山 匡一郎
(株)ルネサステクノロジ 解析技術開発部
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矢野 史子
(株)日立製作所 半導体グループ
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水野 貴之
株式会社ルネサステクノロジ
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三井 泰裕
(株)日立ハイテクノロジーズ
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柳田 博史
株式会社ルネサステクノロジ
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小川 吉文
株式会社ルネサステクノロジ
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矢野 史子
(株)日立製作所 中央研究所
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荒川 史子
株式会社ルネサステクノロジ
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青山 隆
(株)日立ハイテクノロジーズ
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梅村 馨
(株)日立製作所中央研究所
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矢野 史子
株式会社ルネサステクノロジ
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寺田 尚平
株式会社日立製作所日立研究所
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朝山 匡一郎
株式会社ルネサステクノロジ
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柳田 博史
(株)日立製作所半導体グループ
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水野 貴之
(株)日立製作所半導体グループ
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橋川 直人
ルネサステクノロジ
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朝山 匡一郎
(株)日立製作所 半導体グループ
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寺田 尚平
(株)日立製作所日立研究所
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寺田 尚平
日立,日立研
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青山 隆
日立,日立研
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矢野 史子
日立半導体事業部
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三井 泰裕
日立半導体事業部
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朝山 匡一郎
東工大院理工
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荒川 史子
(株)日立製作所 半導体グループ プロセス解析技術部
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小川 吉文
(株)日立製作所 半導体グループ プロセス解析技術部
著作論文
- 位置分解型TEM-EELSによる半導体界面の解析 (先端材料への新展開)
- ナノプローバとTEMを用いた不良解析手法の開発(LSIシステムの実装・モジュール化技術及びテスト技術,一般)
- ナノプローバとTEMを用いた不良解析手法の開発(LSIシステムの実装・モジュール化技術及びテスト技術,一般)
- ナノプローブ技術を応用した4深針プローバによる単体実デバイスの電気特性評価技術
- ナノプローブ技術を応用した4探針プローバによる単体実デバイスの電気特性評価技術
- TEM-EELSによる半導体デバイスの局所化学結合状態解析
- EF-TEMによるLSI用高誘電体膜の分析評価
- TEM, STEM-EELSによる半導体解析技術
- 位置分解型TEM-EELSによる半導体デバイスの解析
- Si系デバイス絶縁膜のEELS分析 (分析技法の最前線)
- 研究最先端 TEM-EELSによる高分解能元素分布観察