朝山 匡一郎 | (株)ルネサステクノロジ 解析技術開発部

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概要

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• (株)ルネサステクノロジ 解析技術開発部の論文著者

関連著者

• 朝山 匡一郎

  (株)ルネサステクノロジ 解析技術開発部

• 荒川 史子

  株式会社ルネサステクノロジ

• 矢野 史子

  (株)ルネサステクノロジ 解析技術開発部

• 小川 吉文

  株式会社ルネサステクノロジ

• 朝山 匡一郎

  株式会社ルネサステクノロジ

• 朝山 匡一郎

  (株)日立製作所 半導体グループ

• 寺田 尚平

  株式会社日立製作所日立研究所

• 荒川 史子

  (株)日立製作所 半導体グループ プロセス解析技術部

• 水野 貴之

  株式会社ルネサステクノロジ

• 矢野 史子

  株式会社ルネサステクノロジ

• 柳田 博史

  株式会社ルネサステクノロジ

• 矢野 史子

  (株)日立製作所 半導体グループ

• 小川 吉文

  (株)日立製作所 半導体グループ プロセス解析技術部

• 矢野 史子

  (株)日立製作所 中央研究所

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著作論文

• ナノプローバとTEMを用いた不良解析手法の開発(LSIシステムの実装・モジュール化技術及びテスト技術,一般)
• ナノプローバとTEMを用いた不良解析手法の開発(LSIシステムの実装・モジュール化技術及びテスト技術,一般)
• 化合物半導体の結晶基板形成プロセスにおける異常成長核の観察
• TEM, STEM-EELSによる半導体解析技術
• 半導体解析における短時間元素分析 (半導体デバイス/プロセス評価の最前線)
• 半導体プロセス解析と分析電子顕微鏡の役割
• LSI特定箇所の断面TEM試料作製技術
• 位置分解型TEM-EELSによる半導体デバイスの解析
• Si系デバイス絶縁膜のEELS分析 (分析技法の最前線)
• 半導体デバイスのコンタクト底部における界面状態解析
• 透過電子顕微鏡による半導体デバイスの三次元的解析
• FIBによる半導体解析のための試料作成技術 (ハードマテリアル評価の最前線)

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