窒化層形成とその表面状態制御によるサファイア基板上へのGaN成長
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概要
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サファイア基板表面を高温のNH_3ガスに曝すことにより生ずる窒化層の形成過程を調べ、さらにその上に低温バッファ層を介して成長したGaNに対する窒化層の影響について考察した。基板表面からのN_<1s>窒素(光電子分光)強度は、窒化処理時間と共に急速に増大して飽和に達し、その後再び緩やかに増大する。これは、平坦な表面から高密度な突起(10^9〜10^<10>cm^<-2>)が形成される窒化層の表面状態の変化に対応する。窒化処理により、基板表面には膜厚7.5nmのアモルファス状AlO_<1-x>N_x層が形成される。窒化処理を用いたGaN成長により、窒化層の表面状態を制御し、2次元的な成長を促進することによって良好な表面モフォロジを得ることができる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-11-21
著者
-
高口 雅成
(株)日立製作所 中央研究所
-
矢野 史子
株式会社日立製作所中央研究所
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矢野 史子
(株)日立製作所 半導体グループ
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内田 憲治
日本オプネクスト(株)
-
田中 俊明
(株)日立製作所 中央研究所
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皆川 重量
日立製作所中央研究所
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内田 憲治
(株)日立製作所 中央研究所
-
渡辺 明禎
(株)日立製作所 中央研究所
-
皆川 重量
(株)日立製作所 中央研究所
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矢野 史子
(株)日立製作所 中央研究所
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