選択成長技術によるGaN結晶の形状制御とその光導波路形成への検討

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概要

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• 窒化物系半導体に対して選択成長技術を適用することにより、核形成領域の制限や成長種元素のマイグレーションを利用した核生成密度の向上を図った結晶成長が期待できる。これをもとに、平坦かつ平滑な結晶面からなる低損失光導波路の作製を試みた。サファイア基板の表面窒化処理や成長温度他の最適結晶成長条件を検討することにより、断面形状を矩形状とした光導波路が選択成長できることを見出した。またGaN結晶層からなる矩形状光導波路を劈開によって切り出し、YAGレーザの第三高調波355nm線を用いて一様に光励起した結果、温度77Kにおいて発光波長362nmのピーク強度が励起光密度0.05MW/cm^2以上で非線形的に増大することを観測した。さらに、励起強度を大きくしていった場合、ピーク半値幅は弱励起時の約1/6に縮小し、ピーク位置は長波長側へシフトしていくことを明かにした。これらの測定結果により、選択成長光導波路中で共振増幅した誘導放出光を確認できた。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 1995-11-21

著者

• 内田 憲治

  日本オプネクスト(株)

• 田中 俊明

  (株)日立製作所 中央研究所

• 田中 俊明

  日立製作所中央研究所

• 内田 憲治

  日立製作所中央研究所

• 渡辺 明禎

  日立製作所中央研究所

• 皆川 重量

  日立製作所中央研究所

• 内田 憲治

  (株)日立製作所 中央研究所

• 渡辺 明禎

  (株)日立製作所 中央研究所

• 皆川 重量

  (株)日立製作所 中央研究所

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